WFS 3D全息声技术在后期制作室中的设计应用研究——以上海交响音乐厅全息声后期制作室设计为例

通过阐述波场合成(WFS)的原理,提出了基于波场合成技术设计的“WFS 3D全息声”技术,将其与传统的立体声、环绕声等声音回放制式进行对比,论证了WFS技术在声音重放还原时独到的优势.在此基础上,以上海交响乐团音乐厅3D全息声后期制作室的音频系统设计为例,展开对“WFS 3D全息声”技术在后期制作室中的实际设计应用研究,涉及系统的组成、扬声器的布局、兼容性以及创新性等,为该技术在听音室、后期制作室等环境的应用为后人提供相关专业参考依据,并以此进一步启发相关行业标准的正式制定和形成.     

具有高稳定性的超高增益回旋行波管放大器

该文结合线性理论和自洽非线性理论对Ka波段TE11模超高增益回旋行波管放大器的稳定性进行了研究。 研究揭示了回旋行波管中前向波绝对不稳定性和返向波振荡之间的区别,以及分布损耗技术对这两种自激振荡的抑制作用,并首次提出通过渐变磁场技术来提高系统的稳定性。基于该分析方法设计的Ka波段超高增益回旋行波管,采用电压100 kV,电流7 A,速度零散5％的电子注,获得了-1 dB的饱和功率带宽约5 GHz,最高增益约80 dB。     

四川移动“无线城市”建设及商业模式研究

本文通过对无线城市的组网和商业模式的关键问题的分析,提出契合四川移动目前覆盖资源的整体宽带接入技术发展策略,以发展的眼光定位无线城市建设,从不同需求和不同场景制定地市分公司的无线城市建设模板,并对地市分类、切入时间点、切入方式和部署方案等具体思路提出指导建议,研究＂无线城市＂的商业模式,探索四川移动在全业务发展的形势下,针对不同类别的地市分公司,如何实现＂无线城市＂的赢利。     

基于路径选择的自适应蚁群算法研究

本文提出样本空间经过K-均值聚类算法聚类加工处理后,算法通过动态地调整选择路径概率,优化TSP求解过程中解的分布均衡性,可以在加速收敛和防止早熟、停滞现象之间取得很好的平衡。这种新的算法提供了在样本空间预处理情况下,动态自适应地解决TSP问题最优解的新方法。比起普通蚁群算法,此算法对大规模数据的最优解的求解更有显著效果。     

一种超低功耗5.8GHz双模前置分频器设计

基于目前流行的TSPC高速电路,利用TSMC90nm 1P9M 1.2V CMOS工艺设计了高速、低压、低功耗32/33双模前置分频器,其适用于WLAN IEEE802.11a通信标准。运用Mentor Graphics Eldo对该电路进行仿真,仿真结果显示,工作在5.8GHz时功耗仅0.8mW,电路最高的工作频率可达到6.25GHz。     

基于DWT域的音频水印算法研究

论述了DWT(离散小波变换)域中的一种音频水印的嵌入和提取算法,此算法能够实现盲检测,并在Matlab软件中进行了仿真实验。实验结果表明,此算法具有较好的不可感知性,并且对叠加噪声、重采样、重量化、回声、MP3压缩等攻击具有较好的鲁棒性。     

康普顿散射对X射线透射谱的影响

采用一定组分的材料对X射线进行辐射屏蔽,可以吸收大部分的低能光子,减少X射线对电子系统的辐射损伤。但通过研究发现,由于康普顿散射的影响,在一定条件下,透射谱中的低能光子数不但没有减少反而大于入射谱,这对于电子元器件的辐射防护是不利的。通过改变入射源光子能谱、探测器位置、屏蔽材料类型以及屏蔽材料厚度等参量,采用蒙特卡罗方法计算并分析了散射光子对X射线透射谱的影响,得到了康普顿散射光子对X射线透射谱的影响规律,并提出了降低散射光子影响的几种措施。     

基于序列图像的超分辨率重建

提出一种从序列低分辨率欠采样图像中重建出一幅高分辨率图像的重建方法.该方法基于MAP算法,通过利用梯度投影的方法对重建结果不断进行迭代优化得到最终的理想高分辨率影像.实验结果证明,该方法有效,它不仅能够非常容易的引入各种先验条件进行约束从而提高解的收敛速度,并且能够得到质量较好的高分辨率重建图像.在取得相同质量图像的前提下,该算法所需时间明显降低.     

一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法

随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。     

以非晶硅为硬掩膜的TaN金属栅的选择性湿法腐蚀

提出了一种在HfSiON介质上,采用非晶硅为硬掩膜的选择性去除TaN的湿法腐蚀工艺。由于SC1(NH4OH:H2O2:H2O)对金属栅具有合适的腐蚀速率且对硬掩膜和高K材料的选择比很高,所以选择它作为TaN的腐蚀溶液。与光刻胶掩膜和TEOS硬掩膜相比,因非晶硅硬掩膜不受SC1溶液的影响且很容易用NH4OH溶液去除（NH4OH溶液对TaN和HfSiON薄膜无损伤）,所以对于在HfSiON介质上实现TaN的选择性去除来说非晶硅硬掩膜是更好的选择。另外,在TaN金属栅湿法腐蚀和硬掩膜去除后, 高K介质的表面是光滑的,这可防止器件性能退化。因此,采用非晶硅为硬掩膜的TaN湿法腐蚀工艺可以应用于双金属栅集成,实现先淀积的TaN金属栅的选择性去除。