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Ku T.K. Chen S.H. Yang C.D. She N.J. Wang C.C. Chen C.F. Hsieh I.J. Cheng H.C. 《Electron Device Letters, IEEE》1996,17(5):208-210
Undoped and phosphorus (P)-doped diamond-clad Si field emitter arrays have been successfully fabricated using microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) technology. The electron emission from the blunt diamond-clad microtips are much higher than those for the pure Si tips with sharp curvature due to a lower work function. Furthermore, the characteristics of emission current against applied voltage for the P-doped diamond-clad tips show superior emission at lower field to the undoped ones. After the examination of Auger electron spectroscopy (AES) and electrical characteristics of as-grown diamond, such a significant enhancement of the electron emission from the P-doped diamond-clad tips is attributed to a higher electron conductivity and defect densities 相似文献
82.
Wen-Chau Liu Lih-Wen Laih Shiou-Ying Cheng Wen-Lung Chang Wei-Chou Wang Jing-Yuh Chen Po-Hung Lin 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1998,45(2):373-379
In this paper, a new multiple negative-differential-resistance (MNDR) device based on a metal-insulator-semiconductor-insulator-metal (MISIM)-like structure with step-compositional InxGa1-x As quantum wells has been fabricated and demonstrated. The interesting MNDR phenomena are found in the current-voltage (I-V) characteristics of this device. At room temperature, the triple switching behaviours and quadruple stable operation states are obtained. In addition, the sixfold switching behaviors and a staircase-shaped I-V characteristic are observed at -105°C. A sequential carrier accumulation at InGaAs subwells and the potential lowering process are used to qualitatively explain the interesting MNDR phenomena. From the experimental results, it is shown that the studied device has good potential in multiple-valued logic applications 相似文献
83.
85.
86.
87.
介绍了高可靠电镀Ni/Au工艺在PTFE微波印制电路上的应用,并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ni/Au镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比,在软基材PTFE敷铜箔板上镀Ni/Au工艺能大大提高微波电路的可焊性,高温稳定性和长期可靠性,并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。 相似文献
88.
介绍了一种采用改进型的CLS3700数控测井系统对微电阻率扫描仪数据采集与控制接口的设计及实现方法。基于CLS3700数控测井仪和FMS仪采用89C51单片机设计出通信接口,解决了微电阻率方法。基于CLS3700数控测井仪和FMS仪采用89C51单片机设备出通信接口电路,解决了微电阻主扫描仪现现场实时处理中的瓶颈问题。 相似文献
89.
动态波前相位的高分辨率测量 总被引:4,自引:0,他引:4
动态波前相位信息测量是大气光学,气动光学和激光技术等领域的重要实验手段。提出了一种具有高的时间和空间分辨率以及长的测量持续时间的动态波前相位测量方法。应用Hartmann-Shack波前传感器获得高空间分辨率的相位信息,采用高帧频CCD摄象机获得高时间分辨率图象数据。 相似文献
90.
The radiation emitted by a time-harmonic elementary current in magnetized electron plasma half-space, bounded by an ideal electric plane, is investigated using an exact formulation. It is found that: conventional image principle holds for vertical magnetization case; while for parallel magnetization case, coupled image principle seems to be valid. 相似文献