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71.
Very high-order microring resonator filters for WDM applications   总被引:6,自引:0,他引:6  
High-order microring resonators having from 1 to 11 coupled cavities are demonstrated. These filters exhibit low loss, flat tops, and out-of-band rejection ratios that can exceed 80 dB. They achieve performance that is suitable for commercial applications.  相似文献   
72.
Mesopore nickel-based mixed rare-earth oxide (NMRO) and activated carbon (AC) with rich oxygen-contained groups were prepared as electrode materials in a supercapacitor using room temperature ionic liquid (RTIL) electrolyte. These electrode materials were characterized by XPS, XRD, N2 adsorption, SEM as well as various electrochemical techniques, and showed good properties and operated well with RTIL electrolyte. A 3 V asymmetrical supercapacitor was fabricated, which delivered a real power density of 458 W kg−1 as well as a real energy density of 50 Wh kg−1, and during a 500-cycle galvanostatic charge/discharge measurement, no capacity decay was visible. Such promising energy-storage performance was to a large extent ascribed to nonvolatile RTIL electrolyte with wide electrochemical windows and high stable abilities worked with both electrode materials.  相似文献   
73.
74.
75.
We studied the long-term clinical course of five patients with chronic manganese intoxication. The mean scores of the King's College Hospital Rating Scale for Parkinson's disease increased from 15.0 +/- 4.2 in 1987 to 28.3 +/- 6.70 in 1991 and then to 38.1 +/- 12.9 in 1995. The deterioration was most prominent in gait, rigidity, speed of foot tapping, and writing. Tissue concentrations of manganese in blood, urine, scalp hair, and pubic hair returned to normal. Follow-up MRIs did not show paramagnetic high-signal intensity on T1-weighted images. The data indicate that clinical progression in patients with manganese parkinsonism continues even 10 years after cessation of exposure.  相似文献   
76.
77.
78.
大型离心复合球墨铸铁轧辊的生产   总被引:1,自引:0,他引:1  
简述了我公司为舞阳铜厂试制4200mm厚板轧机离心复合球墨铸铁轧辊的性能要求、内外层双重金属铸造工艺参数的选择及整个铸造生产工艺过程。  相似文献   
79.
The authors report on the fabrication and the resultant device characteristics of the first 0.25-μm gate-length field-effect transistor based on n-type modulation-doped Si/SiGe. Prepared using ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD), the mobility and electron sheet charge density in the strained Si channel are 1500 (9500) cm2/V-s and 2.5×1012 (1.5×1012 ) cm-2 at 300 K (77 K). At 77 K, the devices have a current and transconductance of 325 mA/mm and 600 mS/mm, respectively. These values far exceed those found in Si MESFETs and are comparable to the best results achieved in GaAs/AlGaAs modulation-doped transistors  相似文献   
80.
用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布  相似文献   
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