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Guan L. Christou A. Halkias G. Barbe D.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):612-617
A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the InxGa1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias 相似文献
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安全:爆破工程永恒的主题——2001年重大拆除爆破工程回顾 总被引:19,自引:10,他引:9
通过对2001年我国重大拆除爆破工程的回顾,认为在提高大面积毫秒非电起爆网络可靠性,控制爆破震动、扬尘、噪声等环境影响,与机械清理配合,实现快速施工等方面取得了进展与突破;对几起爆破安全事故进行了初步分析.为保证拆除爆破工程安全,在加强理论研究、开展技术创新、建立科学有序的管理制度等方面提出了建议意见. 相似文献
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基于闭路电视网络的计算机远程控制 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种在闭路电视网络上利用DTMF变换技术和调频技术相结合来传输计算机串行控制编码信号的方法,并且将这种控制方法应用到计算机远程广播控制系统中。 相似文献
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建(构)筑物机械拆除方法综述 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了几种常用的建(构)筑物机械拆除方法,对其工作原理、特点、应用条件及局限性加以分析和说明。 相似文献