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61.
We present an optimized design and detailed numerical simulations for a mid-IR type-II interband InGaSb QW cascade laser (T2ICL) with InAs-In/sub 0.3/Ga/sub 0.7/Sb active quantum wells. It is shown that a 15-period T2ICL operating at 300 K and emitting at 3.15 /spl mu/m should achieve a much higher differential quantum efficiency (maximum of 0.9 W/A per facet at 300 K) than conventional mid-IR bipolar injection lasers, and a threshold current density much lower than for the intersubband quantum cascade laser.  相似文献   
62.
针对传感器网络下多目标跟踪时目标数量不断变化这一复杂情况,文中对多目标的跟踪和特征管理方法进行了研究。该方法由数据关联、多目标跟踪、特征管理,和信息融合所组成。其中未知数量多目标的跟踪和数据关联通过马尔科夫蒙特卡罗数据关联实现。通过信息融合来整合本地信息,获取所有相邻传感器的本地一致性,最终实现特征管理。试验证明,本方法能够在分布式的传感器网络环境下对多目标进行准确有效地跟踪和特征管理。  相似文献   
63.
The commercialization of solar fuel devices requires the development of novel engineered photoelectrodes for water splitting applications which are based on redundant, cheap, and environmentally friendly materials. In the current study, a combination of titanium dioxide (TiO2) and zinc oxide (ZnO) onto nanotextured silicon is utilized for a composite electrode with the aim to overcome the individual shortcomings of the respective materials. The properties of conformal coverage of TiO2 and ZnO layers are designed on the atomic scale by the atomic layer deposition technique. The resulting photoanode shows not only promising stability but also nine times higher photocurrents than an equivalent photoanode with a pure TiO2 encapsulation onto the nanostructured silicon. Density functional theory calculations indicate that segregation of TiO2 at the ZnO surfaces is favorable and leads to the stabilization of the ZnO layers in water environments. In conclusion, the novel designed composite material constitutes a promising base for a stable and effective photoanode for the water oxidation reaction.  相似文献   
64.
介绍了光正交码的容量、谱效率、误码率、系统吞吐效率等方面的性能,并进行了仿真计算.分析了码长、最大互相关值对地址码性能的影响.指出在光码分多址地址码的研究中,应当放宽最大互相关值的限制.  相似文献   
65.
文章提出了一种基于四叉树分割的小波域自适应水印方案。算法根据图像的纹理和细节通过四叉树分割将小波系数划分成大小不等的系数块,引入一个与系数块的性质有关的视觉加权因子,对小波域无损视觉量化模型进行了改进,提高了水印的嵌入强度;通过小波系数的量化选择,将水印信息嵌入到小波域的鲁棒性系数上,提高了水印对抗常规处理的能力。仿真实验结果证明该方案同时具有良好的鲁棒性和透明性。  相似文献   
66.
We report an experimental investigation of four interband cascade lasers with wavelengths spanning the mid-infrared spectral range, i.e., 2.9 μm to 5.2 μm, near room temperature in pulsed mode. One broad-area device had a pulsed threshold current density of only 3.8 A/cm2 at 78 K (λ = 3.6 μm) and 590  A/cm2 at 300 K (λ = 4.1 μm). The room-temperature threshold for the shortest-wavelength device (λ = 2.6 μm to 2.9 μm) was even lower, 450 A/cm2. A␣cavity-length study of the lasers emitting at 3.6 μm to 4.1 μm yielded an internal loss varying from 7.8 cm−1 at 78 K to 24 cm−1 at 300 K, accompanied by a decrease of the internal efficiency from 77% to 45%.  相似文献   
67.
自适应逆控制(Adaptive Inverse Control)把自适应滤波器技术较好地应用到控制领域中,较传统控制方法有诸多优点和研究价值。对非最小相位对象的自适应逆控制,一般需要先进行稳定性分析,保证其稳定性前提下进行控制。课题着重研究了非最小相位线性系统的自适应建模这一环节。首先介绍了自适应滤波器理论的相关知识,接下来讨论自适应控制的建模原理,并完成线性非最小相位对象的自适应建模,最后进行计算机仿真,演示实验结装。  相似文献   
68.
Voltage controlled oscillators (VCOs) used in portable wireless communications applications, such as cellular telephony, are required to achieve low phase-noise levels while consuming minimal power. This paper presents the design challenges of a VCO with automatic amplitude control, which operates in the 300 MHz to 1.2 GHz frequency range using different external resonators. The VCO phase noise level is -106 dBc/Hz at 100-KHz offset from an 800-MHz carrier, and it consumes 1.6 mA from a 2.7-V power supply. An extensive phase-noise analysis is employed for this VCO design in order to identify the most important noise sources in the circuit and to find the optimum tradeoff between noise performance and power consumption  相似文献   
69.
利用多光束干涉原理和几何光学方法,分析了非本征F-P干涉仪(EFPI)腔内损耗对干涉仪的影响,详细推导了EFPI腔长与反射光干涉条纹可见度之间的关系,确定了在可测条纹可见度的要求下EFPI腔长的范围.  相似文献   
70.
The impact of aluminum (Al) implantation into TiN/SiO2 on the effective work function (EWF) of poly-Si/ TiN/SiO2 is investigated. Al implanted at 5 keV with a dose of 5 times 1015 cm-2 reduces the flatband voltage (VFB) and the EWF of poly-Si/TiN/SiO2 stack by ~150 mV compared with the unimplanted poly-Si/TiN/SiO2 stack. This reduction of VFB is found to be dose-dependent, which is correlated to the Al concentration at the TiN-SiO2 interface as evidenced by secondary-ion-mass-spectrometry profiles. The interface dipole created due to the Al presence at the metal-dielectric interface is believed to contribute to the observed VFB (or EWF) reduction (or increase). This technique for EWF modulation is promising for further threshold-voltage (Vt) tuning without any process complexities and is quite significant for planar and multiple gate field-effect transistors on fully depleted silicon on insulator.  相似文献   
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