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991.
GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
992.
主要介绍以硅为衬底的PbS、PbSe、PbTe、PbSnSe、HgCdTe、InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
993.
994.
Cheng Qiming 《电子科学学刊(英文版)》1998,15(1):63-68
In this paper, a new pseudocolor method to display sound holospectrogram is proposed and studied. On the picture of such a four-dimensional spectrogram, the horizontal axis refers to time, the vertical axis to frequency, the color to phase, and the brightness to magnitude. An example of display is given by employing the realized system. 相似文献
995.
Li Hongwei 《电子科学学刊(英文版)》1998,15(3):240-247
The sample estimates of higher-order statistics are studied. Under certain conditions, the almost sure convergence of the third- and fourth-order moment and cumulant estimates of stationary processes is established. The rate of almost sure convergence is obtained for the sample estimates of third- and fourth-order moment and cumulant. Additionally, it is shown that the third- and fourth-order moment and cumulant estimates are asymptotic normal. 相似文献
996.
介绍了高可靠电镀Ni/Au工艺在PTFE微波印制电路上的应用,并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ni/Au镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比,在软基材PTFE敷铜箔板上镀Ni/Au工艺能大大提高微波电路的可焊性,高温稳定性和长期可靠性,并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。 相似文献
997.
Wen-Chau Liu Lih-Wen Laih Shiou-Ying Cheng Wen-Lung Chang Wei-Chou Wang Jing-Yuh Chen Po-Hung Lin 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1998,45(2):373-379
In this paper, a new multiple negative-differential-resistance (MNDR) device based on a metal-insulator-semiconductor-insulator-metal (MISIM)-like structure with step-compositional InxGa1-x As quantum wells has been fabricated and demonstrated. The interesting MNDR phenomena are found in the current-voltage (I-V) characteristics of this device. At room temperature, the triple switching behaviours and quadruple stable operation states are obtained. In addition, the sixfold switching behaviors and a staircase-shaped I-V characteristic are observed at -105°C. A sequential carrier accumulation at InGaAs subwells and the potential lowering process are used to qualitatively explain the interesting MNDR phenomena. From the experimental results, it is shown that the studied device has good potential in multiple-valued logic applications 相似文献
998.
In this paper, we consider the performance of different coding schemes for direct-sequence spread spectrum (DS-SS) in a nonselective Rician faded channel. The Nordstrom-Robinson (NR) code, a nonlinear code that has a large distance for a given rate combined with a trellis code, is examined. A bound is developed on the error probability for this trellis-coded NR (TCNR) code with noncoherent reception over a frequency-nonselective Rayleigh or Rician fading channel with additive white Gaussian noise (AWGN). This bound is tighter than the standard union bound. Our results indicate that the standard union bound can be significantly different from the more accurate results obtained from the improved union bound. In addition, there is a considerable coding gain at high signal-to-noise ratio (SNR) for the TCNR code over the conventional DS-SS code at the same data rate 相似文献
999.
Yang Jun Ke-Qiang Liao Shixin Cheng Son Le-Ngoc 《Vehicular Technology, IEEE Transactions on》1998,47(2):609-616
We deal with channel offset schemes and their application in three-dimensional (3-D) frequency reuse environments with ideal cubic microcells. Formulas are derived to calculate channel reuse distances (CRDs) and interchannel usage distances (IUDs) for a given offset degree. For an indoor personal communication network (PCN), an algorithm is proposed for fixed channel assignment with channel offset. The spectral efficiency of channel offset schemes is discussed and the results show that compared to the channel offsetless scheme, channel offset schemes make more efficient use of limited spectrum resources 相似文献
1000.