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61.
现有荷电器对 1∼3 nm 气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软 X 射线气溶胶双极荷电器,
通过结构设计的改进极大地提高了 3 nm 以下气溶胶的通过效率, 同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍
与现有荷电器相近。实验室评测结果表明: 在 1 L·min−1 流量下, 新型荷电器对 3 nm 以下不同粒径气溶胶的通过效率
与 TSI 3088 软 X 射线荷电器相比可提高 175%∼300%; 在 2.5 L·min−1 流量下, 可提高 115%∼173%。同时, 新型荷电器
对 10∼40 nm 及 3 nm 以下气溶胶的本征荷电效率与目前广泛使用的 Fuchs 稳态理论近似公式计算得出的荷电效率及
其他类似荷电器的实测荷电效率基本吻合。相对于现有的商业荷电器, 该新型荷电器对 3 nm 以下气溶胶有着更高的
表观荷电效率, 具有潜在的应用价值。 相似文献
62.
介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内,固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗<10dB. 相似文献
63.
64.
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 V时,色度均在白光的中心区域;当电压为7V时,器件的最大电流效率为9.09cd/A;当电压为14V时,器件的最大亮度为16 370cd/m2。不加CdS时,当电压为8V时,器件的最大效率为5.16cd/A;当电压为14V时,最大亮度为6 669cd/m2。加CdS的器件比不加CdS的器件最大效率提高了1.76倍,最大亮度提高了2.42倍。 相似文献
65.
66.
67.
非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。 相似文献
68.
基于高阶统计量的合成图像鉴别方法 总被引:1,自引:1,他引:1
随着各种图像编辑软件的广泛应用,数字图像被篡改的现象越来越普遍。论文研究了一种鉴别合成照片真伪的方法,在提取可信图像和拼接图像的双谱特征和边缘密度特征的基础上利用支持向量机(SVM)进行分类训练,并提出了在特征提取前去除图像的非高斯噪声。实验结果表明,该方法可将鉴别正确率由71%提高到75%,并具有一定的抗JPEG压缩能力。 相似文献
69.
70.
针对IP over WDM网络,建立了整数线性规划(ILP)最小功耗模型,计算了满足峰值业务需要开启的设备数目;对于低峰业务提出休眠机制,分别利用最小光路数算法与最小跳数算法,在保证连接无阻塞的情况下找出空闲设备,对比峰值业务得到不同算法下的设备使用率,确定IP over WDM网络的节能潜力。结果表明,ILP优化模型的网络功耗最小,最小光路数算法次之;低峰业务下利用休眠机制可以关闭设备的比例占40%~60%;采用最小光路数算法的休眠机制节能效果较优。 相似文献