金铝键合寿命评价方法研究

由于金属间化合物的生成,会使金铝键合的接触电性能受到影响.从金属间化合物生成这一单一失效机理出发,以失效物理为理论基础,通过恒定高温加速和高温步进加速试验,针对不同温度下的金铝键合寿命做出评价,并给出键合寿命评价流程.     

nMOSFET低能X射线辐照特性研究

讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能（10keV）X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阈值电压的影响。结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与^60Co辐照影响的规律基本一致。     

双向电流应力下的金属膜电迁移机理研究

对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述。借助于脉冲波形的傅里叶级数分解,研究了一般交流应力条件下金属化电迁移的影响因素。建立了一般交流应力条件下金属铝膜电迁移寿命模型。     

MOS器件的X射线辐照效应

研究了在10keVX射线辐照情况下，MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明，辐照后，与用Co^60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是，NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。     

高密度PBGA组件的模态试验与仿真研究

为探索高密度板级组件的动态特性,设计了带菊花链的PBGA(塑封焊球阵列)组件,采用模态试验和有限元仿真方法分别获得PBGA组件的模态参数,分析了不同固支方式对PBGA组件一阶固有频率的影响.研究了边6点固支条件下各阶阵型特性并提出了元器件抗振布局设计的原则,结果表明:6螺钉支撑将显著提高组件的一阶固有频率,从两螺钉的1...     

VLSI圆片级可靠性技术

介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数据，对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价，对不同测试结构的作用进行了说明。     

全光混沌序列发生器设计

如何在光域产生混沌序列并将其作为光码分多址OCDMA(optical code division multiple access)系统的地址码,是近年来一个新的研究方向。利用马赫-增德尔干涉仪设计了一种完全在光域产生模拟双极性混沌序列的发生器。通过控制马赫-增德尔干涉仪两臂引起的相移来调制输入光电场的振幅和相位,使得输出光电场矢量等于输入光电场矢量与余弦项的乘积,多个干涉仪及光纤延迟线和相移器可以构成混沌序列发生器,并按logistic映射在光域产生双极性混沌序列。此混沌序列发生器可作为OCDMA系统的编解码器,提高保密性并增加系统可容纳的用户数。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。     

偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60％ ～ 80％,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致.     

双极型电压比较器的强电磁脉冲效应

基于大电流注入法(BCI),利用瞬态脉冲产生器模拟强电磁脉冲在双极型电压比较器中产生的耦合电流,观测到输出信号在注入瞬态大电流后的波形变化,包括占空比变化及脉冲衍生等。从基本电路原理方面分析了实验现象的产生机理,以及注入电流幅值、电路偏置等因素对双极型电压比较器强电磁脉冲效应的影响。