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11.
L-乳酸和聚乳酸的研究进展   总被引:16,自引:1,他引:15  
综述了乳酸发酵和提取工艺以及聚乳酸的合成进展,分析了L-乳酸及合成聚乳酸两种产品的市场前景,对进一步的技术开发提出了建议。  相似文献   
12.
单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
姚学标  胡国光  尹萍  方庆清  吕庆荣 《功能材料》2002,33(6):633-634,637
用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体,通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例,可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化,控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ,可以调整4πMs值,提高磁晶各向异性场,测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性,发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移,最高吸收峰可达32.8dB,是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。  相似文献   
13.
采用化学分析,金相检验,力学性能测试及扫描电镜分析方法对轿车前轮毂早期断裂原因进行了分析。结果表明,冷却不足使组织中出现网状及小块状铁素体,导致硬度偏低,加之磨削加工痕迹较粗是引起前轮毂早期断裂的原因。  相似文献   
14.
模糊规划在炼油厂生产计划优化中的应用   总被引:7,自引:1,他引:6  
生产计划的编制是炼油化工企业生产经营管理中的一个关键环节,然而由于市场变化的不确定性,使得企业的长远规划制定受到限制,笔者将模糊数学应用于炼厂生产计划的编制,通过模糊规划对炼油企业生产计划进行优化,使编得的生产计划在一定程度上反映市场的变化并使企业的生产效益最优,为企业管理决策者进行长期规划给予指导,给出了实例来说明该方法的可行性。  相似文献   
15.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
16.
根本技术创新产品需求的获取及评价研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根本技术创新对企业的发展具有决定性的意义。并对工程作为现代产品开发中新发展的系统化方法,在应用其对根本技术创新产品需求搜集及评价时,出现了满足顾客需求和创造顾客需求、资源需求与技术创新、理性决策与非理性决策、企业文化与技术创新等之间的矛盾。本文对产生这些矛盾的原因进行了分析,提出了相应的解决办法。  相似文献   
17.
聚苯乙烯(PS)在苯溶液中与溴代丁二酰亚胺(NBS)反应,经分离提纯得到了固体溴代聚苯乙烯(PSB)。将所得PSB溶于苯并与低分子量的聚二甲基硅氧烷硅醇锂(PDMSOLi)反应,经分离提纯得到固体的溴代聚苯乙烯接枝聚二甲基硅氧烷(PSB-g-PDMSO),所得PSB-g-PDMSO的结构经^1H-NMR、IR及TEM表征。  相似文献   
18.
水电站泄水道破坏修复工程,是一项风险高、难度大、前景广阔的系统工程。刘家峡水电站泄水道2号孔破坏修复的关键,是采用人工深水软导向浮体闸门封堵孔口,形成门后洞内旱地施工条件;龚嘴水电站10号冲砂底孔破坏修复的关键,增设浮体闸门采用自动潜行式浮体闸门封堵孔口,形成门后洞内旱地施工条件;哈萨克斯坦CHARDARA水电站SYNAS项目泄水底孔修复的关键,采用分次降水安装浮体闸门侧支承的方法,挡住引水发电机组的下游尾水,在泄水道进口检修门和流道出口之间形成门旱地施工。此3项泄水道修复工程在行业内没有先例,难度很大。整体方案具有创新性,并且均已高质量竣工并投入正常运行。  相似文献   
19.
巴彦浩特探区钻井液技术初探   总被引:1,自引:1,他引:0  
巴彦浩特探区钻井液工艺技术的重点是,解决疏松砂砾岩地层水涌漏同层、侏罗系地层水的HCO3^-污染及可能出现的火成岩地层井塌复杂。结合内蒙古巴彦浩特探区地层和井身结构特点,采用了两性聚合物/氯化钾钻井液和氯化钾/石膏-聚磺钻井液体系。该体系抑制能力强,性能稳定.容易实现低固相、低密度近平衡钻井,保护储层效果好。对复杂情况采取了有针对性的处理办法:平稳操作和合理的钻井工程措施是预防水层涌漏同层和火成岩井塌复杂的重要手段;用井场易得的固井水泥或石膏配合烧碱处理HCO3^-污染简便易行;处理火成岩井塌复杂,控制合适的钻井液性能是必要的。  相似文献   
20.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.  相似文献   
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