全文获取类型
收费全文 | 63360篇 |
免费 | 5866篇 |
国内免费 | 3188篇 |
专业分类
电工技术 | 3836篇 |
技术理论 | 6篇 |
综合类 | 4850篇 |
化学工业 | 10277篇 |
金属工艺 | 3553篇 |
机械仪表 | 4006篇 |
建筑科学 | 5068篇 |
矿业工程 | 1649篇 |
能源动力 | 1669篇 |
轻工业 | 6111篇 |
水利工程 | 1365篇 |
石油天然气 | 3160篇 |
武器工业 | 616篇 |
无线电 | 7003篇 |
一般工业技术 | 6916篇 |
冶金工业 | 2751篇 |
原子能技术 | 886篇 |
自动化技术 | 8692篇 |
出版年
2024年 | 343篇 |
2023年 | 1087篇 |
2022年 | 1977篇 |
2021年 | 2669篇 |
2020年 | 2077篇 |
2019年 | 1704篇 |
2018年 | 1905篇 |
2017年 | 2135篇 |
2016年 | 1937篇 |
2015年 | 2800篇 |
2014年 | 3485篇 |
2013年 | 4096篇 |
2012年 | 4601篇 |
2011年 | 4736篇 |
2010年 | 4226篇 |
2009年 | 4024篇 |
2008年 | 3987篇 |
2007年 | 3701篇 |
2006年 | 3538篇 |
2005年 | 2972篇 |
2004年 | 2031篇 |
2003年 | 1615篇 |
2002年 | 1584篇 |
2001年 | 1332篇 |
2000年 | 1205篇 |
1999年 | 1205篇 |
1998年 | 966篇 |
1997年 | 797篇 |
1996年 | 725篇 |
1995年 | 613篇 |
1994年 | 464篇 |
1993年 | 338篇 |
1992年 | 312篇 |
1991年 | 224篇 |
1990年 | 166篇 |
1989年 | 142篇 |
1988年 | 128篇 |
1987年 | 68篇 |
1986年 | 89篇 |
1985年 | 43篇 |
1984年 | 39篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 25篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 28篇 |
1979年 | 18篇 |
1977年 | 11篇 |
1976年 | 30篇 |
1975年 | 14篇 |
1974年 | 11篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
为了研究氢化芳烃的微观结构,进一步认识和理解氢化芳烃在催化裂化过程中的反应特性。以四氢萘为模型化合物,利用基于密度泛函理论的量子化学从头计算方法,对四氢萘的几何结构和电子结构进行了系统研究,得到了四氢萘不同位置C-H键和C-C键的键长、键级、键能以及电子云密度、前线轨道分布等微观结构信息。发现四氢萘结构具有轴对称特性,苯环上的C-C键和C-H键要远比环烷环的C-C键和C-H键稳定。由于受苯环的影响,会使得其环烷环上不同位置的C-C键的键长、键级和键能均具有明显差异,也导致环烷环上不同位置C-H键的键长、键级和键能有较明显的差异,具体表现为:对C-C键而言,与苯环相连的C-C键的键长较短,键级较高,键能也明显较高,而苯环β位C-C键的键能则明显较低;对C-H键而言,与苯环β位环烷碳原子上的C-H键相比,苯环α位环烷碳原子上的C-H键的键能明显较低。电子云分布计算结果能够较好地给出的这些C-C键和C-H键结构特征差异的原因。前线轨道计算结果表明,在催化裂化过程中,苯环α位环烷碳原子上的C-H键和β位C-C键较易受到催化剂酸性中心的进攻,是酸催化反应的位点。这些计算结果对于认识与理解氢化芳烃的反应特性具有一定的基础性理论意义。 相似文献
92.
93.
电去离子(EDI)技术在热电厂水处理中的应用 总被引:8,自引:0,他引:8
电去离子 (Electrodeionization简称EDI) ,是一种将膜分离技术与离子交换技术有机结合起来去除水中离子获得低电导率产品水的新型水处理技术 ,在电力、电子、医药、化工、冶金、机械、化妆品、电镀电解、食品饮料、纺织印染等多个领域具有广泛的应用空间 ,本文简要介绍了这种新型水处理技术的原理、特点及在热电厂化学水处理中的成功应用情况 相似文献
94.
95.
Bong Ban S. Baker Curtis L. Long Dale D. 《IEEE transactions on bio-medical engineering》1976,(1):75-77
A stimulator circuit is presented which is capable of generating pulse train waveforms suitable for neurophysiological experiments are available, as well as special test conditions such as dishabituation. Digital and linear integrated circuits are used to provide precise control over the stimulus parameters. 相似文献
96.
97.
The development, operation, and applications of two configurations of an integrated plasma-aided nanofabrication facility (IPANF) comprising low-frequency inductively coupled plasma-assisted, low-pressure, multiple-target RF magnetron sputtering plasma source, are reported. The two configurations of the plasma source have different arrangements of the RF inductive coil: a conventional external flat spiral “pancake” coil and an in-house developed internal antenna comprising two orthogonal RF current sheets. The internal antenna configuration generates a “unidirectional” RF current that deeply penetrates into the plasma bulk and results in an excellent uniformity of the plasma over large areas and volumes. The IPANF has been employed for various applications, including low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of vertically aligned single-crystalline carbon nanotips, growth of ultra-high aspect ratio semiconductor nanowires, assembly of optoelectronically important Si, SiC, and Al1-xInxN quantum dots, and plasma-based synthesis of bioactive hydroxyapatite for orthopedic implants. 相似文献
98.
液态锡焊料常见元素氧化的热力学分析 总被引:2,自引:0,他引:2
计算了液态锡焊料中常见元素氧化物生成的标准吉布斯函数随温度的变化关系,绘制了相关氧化反应的ΔGTθ-T图.研究表明,在液态Sn-Pb焊料和Sn-Ag-Cu,Sn-Cu无铅焊料的氧化过程中,对Sn的氧化而言,其表层分子会生成SnO2,在表层分子以下则可能生成SnO;对于Pb的氧化而言,主要生成PbO;而Ag、Cu的氧化物主要是Cu2O和Ag2O.液态锡焊料中所涉及的元素与氧化合的能力依次为:Al>Ga>Zn>ln>Ge>Sn>Fe>Sb>As>Pb>Bi>Cu>Ag.指出,当大量加入与氧化合能力较Sn强的元素作为焊料合金组分时,将会降低其在液态下的抗氧化能力;反之,则可使它的抗氧化性能得到改善. 相似文献
99.
企业慈善是企业与社会的双赢选择。企业慈善可促进慈善事业的发展,达到整合社区资源、促进社区发展的目的,在更为广阔的社会系统中表达一种“关爱与和谐”的理想与信念。同时,企业慈善有利于提升企业自身形象,增进企业内部凝聚力,培养优秀的企业文化。当前我国企业慈善的发展现状不容乐观。我国企业应该大力参与慈善事业,开创社会主义和谐社会下企业与社会的双赢局面。 相似文献
100.
A continuous-wave hybrid AlGaInAs-silicon evanescent laser 总被引:1,自引:0,他引:1
A.W. Fang Hyundai Park R. Jones O. Cohen M.J. Paniccia J.E. Bowers 《Photonics Technology Letters, IEEE》2006,18(10):1143-1145
We report a novel laser architecture, the hybrid silicon evanescent laser (SEL), that utilizes offset AlGaInAs quantum wells (QWs) bonded to a silicon waveguide. The silicon waveguide is fabricated on a silicon-on-insulator wafer using a complimentary metal-oxide-semiconductor-compatible process, and is subsequently bonded with the AlGaInAs QW structure using low temperature O/sub 2/ plasma-assisted wafer bonding. The optical mode in the SEL is predominantly confined in the passive silicon waveguide and evanescently couples into the III-V active region providing optical gain. The SEL lases continuous wave (CW) at 1568 nm with a threshold of 23 mW. The maximum temperature for CW operation is 60/spl deg/C. The maximum single-sided fiber-coupled CW output power at room temperature is 4.5 mW. 相似文献