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龙口水利枢纽坝基岩体主要由奥陶系中统马家沟组(O2m2)灰岩组成,其中发育有多层软弱夹层。作为其中之一的钙质充填夹层,强度虽不很低,但由于处于坝基下的持力层内,间距不大,发育密集,产状平缓,是坝基浅层抗滑稳定的主要控制因素,因此,在大坝抗滑稳定分析时,应进行分析和研究。 相似文献
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HDI工艺中取代涂树脂铜箔适合激光钻孔的半固化片 总被引:1,自引:1,他引:0
应用于HDI的激光钻孔半固化片的方法和其它常规材料相比具有的优缺点。 相似文献
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应用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5w,照射时间0.5-3 min)和Ar+激光(波长488nm,功率70mw,照射时间5-15min)对长期保存的不同保存形式的塔胞藻(Pyramidomonassp.)进行辐照处理。研究了不同剂量激光辐照对藻体生长和叶绿素含量的影响。实验结果表明:照射剂量为60s的Nd:YAG激光及剂量为15min的Ar+激光对液体保存形式的藻种有较明显的促长效果,接种后这两种激光处理组的比生长速率分别较对照提高达53.33%和28.89%,叶绿素含量分别增加73.33%和65.69%。两种激光对液体保存藻种的活化效果均好于固体保存种。 相似文献
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P. G. Muzykov Y. I. Khlebnikov S. V. Regula Y. Gao T. S. Sudarshan 《Journal of Electronic Materials》2003,32(6):505-510
To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement
techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable
graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique,
and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values
of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable
graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe
method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer
was also obtained and reported in this work. 相似文献
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