重复压裂裂缝转向时油藏数值模拟研究

裂缝转向的实现及选井、选层、优化设计等的数值模拟和机理是转向重复压裂需进一步研究解决的问题,为此,采用黑油模型,研究了在反九点注采井网中,不同储集层渗透率下,转向重复压裂的裂缝穿透率和导流能力等对采油动态的影响。研究表明,不论是渗透率高的地层还是渗透率低的地层,不利裂缝方位的边井最适合实施转向重复压裂且需要比常规重复压裂更大的缝长,而有利裂缝方位的边井和角井只需要与常规重复压裂相当的缝长;同时,转向重复压裂需要比常规重复压裂更高的裂缝导流能力。     

贴片机脱机编程的快捷方法

SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。     

贴片设备的选择

随着电子工业的飞速发展,贴片设备已被广泛应用于大规模电子组装生产上。文章就贴片机选型时应注意的几个关键技术问题作简单介绍,希望对企业选择贴装设备有一定的帮助。     

TUD-DNS3脱硝助剂在催化裂化装置的工业应用

TUD-DNS3脱硝助剂在中韩（武汉）石油化工有限公司1号催化裂化装置上进行了工业应用。结果表明：针对两段再生工艺，当系统中助剂占总催化剂藏量的质量分数为2.6%时，烟气脱硫装置外排污水中的氨氮质量浓度由加剂前的100 mg/L下降至40 mg/L以内；助剂的加入降低了CO焚烧炉的炉膛温度，有利于烟气的合格排放，并对装置操作、产品分布及汽油、柴油产品质量无不良影响。     

HDI工艺中取代涂树脂铜箔适合激光钻孔的半固化片

应用于HDI的激光钻孔半固化片的方法和其它常规材料相比具有的优缺点。     

移动卫星通信信道多普勒频移特性研究

在分析移动卫星通信信道特性的基础上，研究增加直射分量的多普勒实时频移和多径信号入射角范围及其变化对移动卫星通信信道多普勒频移特性的影响，推导了其不对称多普勒功率谱形式，对其进行了理论分析并给出了仿真结果。     

IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真

以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型，经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析，所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的，可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。     

加强电站无功管理

加强电站无功管理，不但能改善供电质量，满足电网的要求，提高单位的经济效益，而且使设备的安全运行得到了保障。     

应用激光活化饵料藻种的研究

应用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5w,照射时间0.5-3 min)和Ar+激光(波长488nm,功率70mw,照射时间5-15min)对长期保存的不同保存形式的塔胞藻(Pyramidomonassp.)进行辐照处理。研究了不同剂量激光辐照对藻体生长和叶绿素含量的影响。实验结果表明:照射剂量为60s的Nd:YAG激光及剂量为15min的Ar+激光对液体保存形式的藻种有较明显的促长效果,接种后这两种激光处理组的比生长速率分别较对照提高达53.33%和28.89%,叶绿素含量分别增加73.33%和65.69%。两种激光对液体保存藻种的活化效果均好于固体保存种。     

High resistivity measurement of SiC wafers using different techniques

To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique, and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer was also obtained and reported in this work.