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101.
102.
磁性旋转编码传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍的两相输出磁性旋转编码器输出电压V_(p-p)=41mV(V_(cc)=5V),灵敏度为6.3μV/(A·m~(-1)),分辨率为400p/r.实验证明,磁鼓与磁阻传感器之间存在最佳间隙,当间距为1mm时,输出最大. 相似文献
103.
104.
坦克红外特征控制技术评述 总被引:2,自引:1,他引:1
坦克红外特征控制对于提高坦克的战场生存能力具有重要意义。控制的主要方法有遮障、表面处理、外形技术、主动冷却、总体设计等。坦克红外特征的控制必须与其他波段,特别是射频波段的特性控制兼容。遮障和低发射率涂料是现役坦克红外特征控制的主要措施。而对未来的主战坦克,设计应是减少其系统特性的重要途径。 相似文献
105.
取代二苯多烯和取代聚二乙炔的三阶非线性光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
为了设计新的具有较高非线性极化率和光损耗小的有机非线性光学(NLO)材料,需要了解不同的有机结构对分子非线性的影响。在此基础之上,建议用平行对比的方法来近似估算取代二苯多烯和聚二乙炔(PDA)的三阶非线性光学极化率。 相似文献
106.
采用自行研制的LB自动提膜装置,制备出大面积(10×8cm2)、高质量的PMMA超薄抗蚀剂膜,并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光,湿法蚀刻,制作了分辨率优于0.5μm,特征线宽0.38μm的4(100mm)铬掩模版。 相似文献
107.
Ahmari D.A. Fresina M.T. Hartmann Q.J. Barlage D.W. Mares P.J. Feng M. Stillman G.E. 《Electron Device Letters, IEEE》1996,17(5):226-228
A self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor with a compositionally graded InxGa1-xAs base has been demonstrated with fT=83 GHz and fmax=197 GHz. To our knowledge, these results are the highest reported for both parameters in InGaP/GaAs HBT's. The graded base, which improves electron transport through the base, results in a DC current gain and a cutoff frequency which are 100% and 20% higher, respectively, than that achieved by an identical device with a nongraded base. The high fmax results from a heavily doped base, self-aligned base contacts, and a self-aligned collector etch. These results demonstrate the applicability of InGaP/GaAs HBT's in high-speed microwave applications 相似文献
108.
ElectronmicroscopicobservationsandDNAchainfragmentationstudiesonapoptosisinbonetumorcelsinducedby153SmEDTMPZhuShouPeng,Xia... 相似文献
109.
110.
布尔函数的对偶性和线性点 总被引:5,自引:1,他引:4
本文主要讨论了部分自对偶和部分反自对偶函数、部分线性函数以及具有线性点的函数的性质。 相似文献