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51.
Von Lehmen A. Chang-Hasnain C. Wullert J. Carrion L. Stoffel N. Florez L. Harbison J. 《Electronics letters》1991,27(7):583-585
The fabrication of an 8*8 independently addressable InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser array based on planar ion-implantation processes is described. The uniformity of laser characteristics across the array under both pulsed and CW operation is discussed. Simultaneous addressing of multiple lasers is demonstrated.<> 相似文献
52.
Hong W.P. Zrenner A. Kim O.H. Harbison J. Florez L. Derosa F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1990,37(8):1924-1926
The transport properties of a two-dimensional electron gas in Al 0.3Ga0.7As/GaAs quantum-well delta-doped heterostructures are studied. Electron energy subbands in the quantum well were calculated by a self-consistent method. The FETs having a gate length of 1.3 μm showed a transconductance as high as 340 mS/mm. The FETs also showed a broad plateau of transconductance around its peak, which is not typical in MODFETs 相似文献
53.