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The coal filter cake is a product of fine coal after floatation which has an ash content of 7-13%, water content of 30±2%, and a particle size of less than 1 mm. The ash content was measured by the intensity of the single backscattered gamma-ray, and its accuracy is mainly dependent on the energy of the gamma-ray. The 238Pu low energy photon source is selected in this work. The energy of its gamma-ray is 15 keV, which can result not only in the best sensitivity, but also in the lowest contribution to the environment radiation. The root mean square deviation of the ash measurement is±0.33% (±1σ). 相似文献
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GC Viscomi 《Canadian Metallurgical Quarterly》1997,10(1):59-86
Type I IFNs constitute a family of proteins exhibiting high homology in primary, secondary, and tertiary structures. They interact with the same receptor and transmit signals to cellular nucleus through a similar mechanism, eliciting roughly homogeneous biological activity. Nevertheless, the members of that family, IFN alpha species, IFN beta and IFN omega, due to local differences in the structure sometime show distinct properties. From the reported data it results that even minute changes or differences in the primary sequences could be responsible for a significant variety of biological actions, thus inducing to the hypothesis that Type I IFNs, rather than to be the result of a redundant replication during the evolution play definite roles in the defense of living organisms to foreign agents. 相似文献
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CIE TC8‐01 has adopted a new color appearance model: CIECAM021 replaces the CIECAM97s.2 The new model consists of a number of refinements and simplifications of the CIECAM97s color appearance model. This article describes further tests to the robustness of the forward and reverse modes. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Col Res Appl, 30, 99–106, 2005; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/col.20087 相似文献
34.
广义汉明重量下限函数Lr(j,d)的新证明 总被引:3,自引:0,他引:3
通过几个引理,对广义汉明重量下限函数Lr(j,d)的有限和表达式给出了一个思路简单的证明方法。给出了取整数函数[x],[x]的一些运算性质。 相似文献
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Gillespie J.K. Fitch R.C. Sewell J. Dettmer R. Via G.D. Crespo A. Jenkins T.J. Luo B. Mehandru R. Kim J. Ren F. Gila B.P. Onstine A.H. Abernathy C.R. Pearton S.J. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(9):505-507
The low temperature (100°C) deposition of Sc2O3 or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm2 HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc2 O3 and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiNx passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc2O3 or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
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研究了温度及气体压力对漂移室(工作于正比区)气体放大倍数的影响,温度和气体压力的变化范围分别是5 ̄40℃及90 ̄105kPa。用实验数据拟合得到了函数关系并测量了几种饱和度下函数中的参数值。 相似文献
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