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11.
Glass Physics and Chemistry - The initial polycrystalline films of tungsten and titanium, whose surface has predominantly ultrananodispersed morphology and a thickness of 50 to 100 nm, are obtained...  相似文献   
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13.
We compare the antifriction properties of different types of coatings on titanium alloys under conditions of boundary friction as applied to parts of the hydraulic cylinders of an aircraft. We show that gasthermal titanium carbide coatings cladded with nickel and with both copper and nickel have better antifriction characteristics than ones obtained by chrome electroplating, nickel chemoplating, thermooxidation, anodization, etc. Kiev International University of Civil Aviation; J.S.S.T.C. “Antonov,” Kiev. Translated from Fizyko-Khimichna Mekhanika Materialiv, Vol. 34, No. 2, pp. 55–62, March–April, 1998.  相似文献   
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16.
All-Union Scientific-Research, Design, Construction, and Technical Institute for Electrothermal Equipment. Translated from Metallovedenie i Termicheskaya Obrabotka Metallov, No. 1, pp. 18–21, January, 1989.  相似文献   
17.
Cellulose acetate/polyaniline (PANi) blends show a selective response to the presence of sodium dodecyl sulfate (SDS). Such detection can be monitored by visible absorption spectroscopy. In this article, we show how this is dependent on the pH and temperature. At pH 2, the redshift of the maximum absorbance wavelength of blend films is essentially dependent on hydrochloric acid; however, at pH 3, this effect clearly decreases, and at pH values between 4 and 6, the alteration of the blend color depends only on SDS. The selective detection of SDS is faster with a higher percentage of PANi in the blend. At 25°C, the mechanism of sorption is essentially Fickian for short times, but this changes at higher temperatures, and at temperatures of 40°C and higher, the sorption kinetics show an initial time lag in which no visible response from the blend to SDS is detected. The response rate of blends to SDS detection increases with the temperature and PANi content. © 2008 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci, 2009  相似文献   
18.
The degradation of 100-nm effective channel length pMOS transistors with 14 Å equivalent oxide thickness Jet Vapor Deposition (JVD) Si3N4 gate dielectric under hot-carrier stress is studied. Interface-state generation is identified as the dominant degradation mechanism. Hot-carrier-induced gate leakage may become a new reliability concern. Hot-carrier reliability of 14 Å Si3N4 transistors is compared to reliability of 16 Å SiO2 transistors  相似文献   
19.
20.
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