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This work investigates the performance of the inverted-T (IT) junctionless (JL) FinFET with selective buried oxide (SELBOX) topology. The electrical charac  相似文献   
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Litvyak  V. M.  Cherbunin  R. V.  Kalevich  V. K.  Kavokin  K. V. 《Semiconductors》2020,54(12):1728-1729
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of...  相似文献   
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Russian Journal of Non-Ferrous Metals - This article is devoted to the influence of sodium lignosulfonate (SL), anionic surfactants (sodium dodecylsulfate (SDS), sodium dodecylbenzene sulfonate...  相似文献   
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Metallurgical and Materials Transactions A - Hybrid nanocomposites have potential as wear-resistant materials. However, synthesizing these nanocomposites by conventional molten state methods result...  相似文献   
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