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This work investigates the performance of the inverted-T (IT) junctionless (JL) FinFET with selective buried oxide (SELBOX) topology. The electrical charac 相似文献
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Madhu H. C. Edachery Vimal Lijesh K. P. Perugu Chandra Shekhar Kailas Satish V. 《Metallurgical and Materials Transactions A》2020,51(8):4086-4099
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