高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

矩阵式变换器的研制及其应用研究

研究了矩阵式变换器(Matrix Convener,简称MC)的双电压控制策略及其在无刷双馈发电机中应用.设计了一套基于DSP和现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,简称FPGA)的全数字控制系统,详细论述了系统硬、软件设计方案.实验结果验证了该控制策略的正确性和控制平台设计的有效性,以及在无刷双馈风力发电中应用的可行性,为MC的实际应用提供了实验根据.     

茂名供电局计量自动化系统方案的设计

为了保证计量的准确性,提高经营管理的水平,提升服务水平,茂名供电局规划设计了计量自动化系统。该系统为用电管理提供了准确可靠的数据,使我们及时发现计量故障问题,同时使我们在指导和监督用户安全、合理、科学用电方面有据可依,树立了优质服务的良好企业形象。作者参与了该系统从方案设计到最终实施与运行的全过程,其中方案设计最为关键,本文就茂名供电局计量自动化系统的设计方案进行了一定的探讨。     

集控系统技术发展趋势分析

未来集控系统的建设应该实现"变电站-集控站分区-总集控站"的三层体系;采用规约集成的办法,融合视频安防、防误闭锁、智能操作票、电压无功的自动控制、继电保护信息等其他电网自动化系统,实现一体化解决方案;提出在实际系统集成实现的时候,应该按实际需求和特性,综合利用相关的标准接口技术实现资源共享,在不同层次上实现系统的最优集成.     

10 kV配网带电作业安全评价方法

10kV配电线路存在结构紧密、线间距较小、作业环境复杂等作业安全隐患,且存在非线性的特征。为评估配网作业的安全影响因素,采用层次分析法建立了包括作业管理制度、作业环境、作业机具、作业人员等配电作业安全评价指标体系结构,并采用模糊综合评价法建立了配网作业的综合评价模型,对东莞虎门镇的配网同塔双回线路带电作业的安全性进行了定量分析,确定作业的安全等级为较好状态,安全隐患主要集中于现场环境方面。     

糖化血红蛋白与冠状动脉支架术后再狭窄的关系

【摘要】 目的 应用血管内超声（IVUS）研究糖化血红蛋白（HbA1c）与冠状动脉（冠脉）支架植入术后再狭窄的关系。方法 将178例成功接受支架植入术的冠心病患者,根据HbA1c水平分为三组,HbA1c < 6.0%组、HbA1c 6.0% ~ 7.0%组、HbA1c > 7.0%组。用冠脉造影（CAG）及IVUS随访6 ~ 12个月,以CAG直径狭窄率 ≥ 50%为支架内再狭窄,用IVUS观察三组冠脉支架术后最小管腔面积、斑块负荷、新生内膜面积,初步探讨HbA1c与再狭窄的关系。结果 178例患者共201处病变,CAG随访示支架内再狭窄30例,再狭窄率14.9%,再狭窄患者的HbA1c水平为6.87% ± 0.56 %,明显高于无再狭窄患者的6.05% ± 0.47%,两组间差异有统计学意义（P = 0.017）,其中HbA1c < 6.0%组发生再狭窄10例,HbA1c 6.0% ~ 7.0%组8例,HbA1c > 7.0%组12例,HbA1c > 7.0%组再狭窄率为31.6%,明显高于HbA1c 6.0% ~ 7.0%组的13.8% 和HbA1c ≤ 6.0%组的9.5%（P < 0.01）。相关分析表明HbA1c与新生斑块面积和斑块负荷呈正相关（r分别为0.685和0.617,P < 0.01）。结论 HbA1c升高可能与冠脉内膜增生有关,测定HbA1c有助于评估冠脉支架术后再狭窄的风险,控制好HbA1c对预防冠脉支架植入后再狭窄有一定价值。

     

700MW机组检修节能诊断试验分析

通过热力试验确定机组在给定负荷下的运行特性,计算机组大修前后的热耗率等技术指标;对机组主辅机和热力系统的运行经济性能进行大修前后的节能诊断;分析大修前效率低、煤耗高的原因,并进行相应的技术和设备改造,保证大修后机组安全经济运行。     

Effect of substrate bias on microstructure and tribological performance of GLC films using hybrid HIPIMS technique

The Cr-doped hydrogen-GLC films were prepared by a hybrid magnetron sputtering system composed of a direct current magnetron sputtering (DC-MS) source of carbon and a high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) source of Cr with reactive gas of C2H2.The hydrogen-free GLC and Cr-doped GLC films were also prepared for comparison.The influence of substrate bias on the Cr-doped hydrogen-GLC films was investigated.With the increase of substrate bias from 100 V to 250 V,the re-sputtering of weak bonding sp2 firstly occurred and induced an increased sp3 bonding.However,the following sp3 to sp2 transformation resulted in a decreased sp3 bonding.The change trends of surface roughness and friction coefficient with the increased bias voltages were the same as those of sp3 bond.The lowest surface roughness and lowest friction coefficient corresponded to the highest sp3 with the Cr-GLC-H films at the bias voltage of-100 V.     

渐进螺旋掏槽炮孔长度与装药长度的理论计算

为确定渐进螺旋掏槽炮孔长度与装药长度的参数,通过引用在小破裂角条件下的装药量计算公式,结合一般炮孔爆破所需要的每米装药量计算公式,选择合理线性装药密度;进而根据柱状装药破岩等效抵抗理论,运用利文斯顿爆破漏斗理论以及线装药密度,定量的给出了渐进螺旋掏槽爆破装药孔孔深的理论计算公式;同时分析讨论了堵塞长度.     

含Ni单矿C3S晶型及早期水化特性研究

以Ca(OH)2、SiO2化学纯为原料,分别掺入不同质量分数的Ni2O3制备不同晶型的C3S相,运用化学分析、XRD、DTA、SEM、水化热测试方法,研究了掺Ni2O3后C3S矿物相形成、晶型及其水化特性变化趋势。结果表明,Ni2O3促进C3S形成效应一般,掺量大于2%后促进效应增强;且掺量大于2%时,Ni2O3可稳定单斜型C3S存在;含Ni的C3S具有一定的活性点或活性面,水化后会导致液相呈现较高的Ca2+浓度,轻微地加快了C3S水化速率,且水化产物颗粒较小,分散度和水化程度高。