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941.
The authors present a novel approach to the evaluation of the DC parameters of a semiempirical MESFET model: starting from the analytical expression of the drain current derived from a previously proposed physics-based model, they provide a method to calculate the empirical DC parameters of the so-called Raytheon model. The comparison between computed and measured DC characteristics is quite satisfactory on GaAs microwave FETs of 1 μm or more gate length. By adding to the results obtained in this work an adequate model of the stray capacitances, the circuit performance can be optimized using the technological characteristics of active devices  相似文献   
942.
Translated from Khimicheskoe i Neftyanoe Mashinostroenie, No. 8, pp. 7–8, August, 1992.  相似文献   
943.
In this paper, the imbricated cells multilevel converters are studied and modeled from a control viewpoint. These converters make use of several switches connected in a series, which allows using switches with reduced voltage ratings; these low voltage switches have lower conduction losses and can switch at higher frequency. In addition to this feature common to all converters using series connected switches, the control signals of multilevel converters can be phase shifted to increase the apparent switching frequency and improve the dynamic performances of the whole converter. It is shown that a multilevel inverter leg, composed of p pairs of switches and p-1 capacitors, forms a multivariable nonlinear system that cannot be properly modeled by standard methods such as state-space averaging. The transient behavior of this system depends on the current harmonics and their phase shift with the different control signals. A specific model is detailed, studied, and used to illustrate the properties of these converters. In particular, the natural balancing of the voltage across the switches is demonstrated and the time constants involved in this process are determined  相似文献   
944.
945.
946.
Modeling of stress and electromigration at the microscopic level, in confined interconnect metallic lines with tungsten studs, can very well account for the resistance behaviour in time. The resistance change at saturation for a metallic line with blocking boundaries at both ends can be related, according to the model, to threshold product (jL)c found by Blech [1].  相似文献   
947.
Muon spin relaxation measurements were carried out in zero magnetic field on amorphous Hf2Co. The results obtained and comparison with the behaviour of the muon in crystalline Hf2Co (A. Baudry, P. Boyer, L.P. Ferreira, S.W. Harris, S. Miraglia and L. Pontonnier, J. Phys.: Condens. Matter, 4 (1992) 5025) indicate that muons occupy interstitial sites without Co atoms in first-neighbour positions and diffuse through those sites, suggesting the existence of some degree of short-range order in the amorphous structure. Muon diffusion cannot be described by a single thermally activated process and is faster in the amorphous alloy than in the crystalline alloy.  相似文献   
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949.
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