支承辊轴承内环的磨削加工

支承辊轴承内环磨削加工时易出现裂纹、烧伤、鱼鳞状、拉毛等缺陷,根据不同情况采取相应措施可减少缺陷的产生。     

钢筋混凝土梁长期荷载作用下非线性变形

钢筋混凝土梁在长期荷载作用下的非线性变形一直是研究者感兴趣的课题.本文阐述了如何分别考虑荷载、混凝土徐变与收缩对钢筋混凝土梁的变形影响,其中直接应用了作者导出的混凝土徐变和收缩相关系数的实用公式.     

底部两层框架砖房1/5比例模型抗震试验研究

本文简述了底部二层框架上部四层砖房 1／ 5比例模型的模拟地震振动台试验,对模型的试验结果进行了分析,并评价了该结构的抗震性能。     

Dielectric relaxation properties of SrTiO3 ceramics modulated by stoichiometry

SrTiO₃ has received increasing attention duo to the fact that small perturbation can produce outstanding physical properties. Nonstoichiometric SrTiO₃ ceramics have been prepared in the range of Sr/Ti = 1.064–0.943. Their dielectric behaviors are investigated in the temperature range of 30–500 °C and in the frequency range 100 Hz to 2 MHz. It is observed that the two types of dielectric relaxation processes are caused by polar nanoregions associated with Sr non-stoichiometry and variable range hopping behavior associated with the dipolar effects for Sr/Ti>1 and Sr/Ti<1 ceramics samples, respectively. Our findings imply that the cation vacancy may be responsible for the adjusted properties in nonstoichiometric SrTiO₃.     

软质聚氨酯泡沫塑料对高浓度苯酚的吸附特性

针对苯酚质量分数为4.407 3%的酚醛废水,研究了聚氨酯软泡(SPF)对苯酚的静态、动态吸附特性及再生性能。结果表明,常温下动态吸附60 m L废水,当p H为2~4,SPF质量为3.899 0 g时,苯酚去除率为97.53%;饱和SPF在常温下可用质量分数为6%的Na OH进行再生;经过80次疲劳实验,苯酚去除率仍保持在94%以上(最大为98.76%)。Langmuir模型能更好地描述SPF对苯酚的吸附行为。     

煤矿重型平板车现状及发展

随着大型矿井胶轮平板车的应用,也需要编制相关的行业标准;需要不断改进、创新重型平板车的设计,不仅在尺寸和重量上能满足运输大吨位液压支架的要求,而且具有机动灵活、自行驶、高稳定性、高通过性等性能,是一种可以在地面与井下都可以使用的自动化程度较高的机、电、液一体化的先进设备。     

硅片塑性形变与位错

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。     

半间歇悬浮聚合法合成SMI树脂

采用半间歇悬浮聚合法合成了只表面出单一玻璃化转变温度（Tg)的苯乙烯－N－苯基马来酰亚胺共聚物（SMI），讨论了影响聚合反应的主要因素，当反应温度为60－75摄氏度，活性磷酸钙为悬浮剂，单体苯乙烯的配比为45－75时，用半间歇悬浮聚合法合成了组成均一，只表现出1个Tg的SMI，其收率可达99％以上。     

锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4～128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.     

高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制

应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1230cm-1处无氧沉淀的特征峰,TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀;另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀,它在红外光谱上1230cm-1处有吸收峰,TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀.热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势,低于900℃的热处理以异质成核为主,而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后,再在900℃以上热处理时,均匀成核长大的氧沉淀才会占优势.