全文获取类型
| 收费全文 | 524539篇 |
| 免费 | 8053篇 |
| 国内免费 | 1467篇 |
专业分类
| 电工技术 | 9558篇 |
| 综合类 | 526篇 |
| 化学工业 | 78705篇 |
| 金属工艺 | 19959篇 |
| 机械仪表 | 15191篇 |
| 建筑科学 | 12669篇 |
| 矿业工程 | 2269篇 |
| 能源动力 | 14518篇 |
| 轻工业 | 47066篇 |
| 水利工程 | 5220篇 |
| 石油天然气 | 9334篇 |
| 武器工业 | 37篇 |
| 无线电 | 59918篇 |
| 一般工业技术 | 101784篇 |
| 冶金工业 | 103544篇 |
| 原子能技术 | 10558篇 |
| 自动化技术 | 43203篇 |
出版年
| 2022年 | 3167篇 |
| 2021年 | 4894篇 |
| 2020年 | 3482篇 |
| 2019年 | 4557篇 |
| 2018年 | 7815篇 |
| 2017年 | 7611篇 |
| 2016年 | 7940篇 |
| 2015年 | 5566篇 |
| 2014年 | 9249篇 |
| 2013年 | 24071篇 |
| 2012年 | 14634篇 |
| 2011年 | 20148篇 |
| 2010年 | 15802篇 |
| 2009年 | 17700篇 |
| 2008年 | 18097篇 |
| 2007年 | 17783篇 |
| 2006年 | 15511篇 |
| 2005年 | 14212篇 |
| 2004年 | 13602篇 |
| 2003年 | 13401篇 |
| 2002年 | 12636篇 |
| 2001年 | 12833篇 |
| 2000年 | 11872篇 |
| 1999年 | 12594篇 |
| 1998年 | 32824篇 |
| 1997年 | 22904篇 |
| 1996年 | 17450篇 |
| 1995年 | 13034篇 |
| 1994年 | 11285篇 |
| 1993年 | 10976篇 |
| 1992年 | 7913篇 |
| 1991年 | 7418篇 |
| 1990年 | 7261篇 |
| 1989年 | 7015篇 |
| 1988年 | 6469篇 |
| 1987年 | 5768篇 |
| 1986年 | 5655篇 |
| 1985年 | 6268篇 |
| 1984年 | 5901篇 |
| 1983年 | 5172篇 |
| 1982年 | 4900篇 |
| 1981年 | 4968篇 |
| 1980年 | 4705篇 |
| 1979年 | 4611篇 |
| 1978年 | 4410篇 |
| 1977年 | 5334篇 |
| 1976年 | 6980篇 |
| 1975年 | 3797篇 |
| 1974年 | 3551篇 |
| 1973年 | 3665篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 15 毫秒
101.
102.
Bochkareva N. I. Ivanov A. M. Klochkov A. V. Kogotkov V. S. Rebane Yu. T. Virko M. V. Shreter Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode... 相似文献
103.
104.
105.
106.
107.
108.
109.
110.
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of... 相似文献