全文获取类型
| 收费全文 | 523010篇 |
| 免费 | 8027篇 |
| 国内免费 | 1448篇 |
专业分类
| 电工技术 | 9550篇 |
| 综合类 | 521篇 |
| 化学工业 | 77577篇 |
| 金属工艺 | 19954篇 |
| 机械仪表 | 15189篇 |
| 建筑科学 | 12638篇 |
| 矿业工程 | 2268篇 |
| 能源动力 | 14521篇 |
| 轻工业 | 46827篇 |
| 水利工程 | 5209篇 |
| 石油天然气 | 9333篇 |
| 武器工业 | 37篇 |
| 无线电 | 59916篇 |
| 一般工业技术 | 101736篇 |
| 冶金工业 | 103495篇 |
| 原子能技术 | 10558篇 |
| 自动化技术 | 43156篇 |
出版年
| 2021年 | 4857篇 |
| 2020年 | 3472篇 |
| 2019年 | 4551篇 |
| 2018年 | 7806篇 |
| 2017年 | 7607篇 |
| 2016年 | 7932篇 |
| 2015年 | 5557篇 |
| 2014年 | 9241篇 |
| 2013年 | 24068篇 |
| 2012年 | 14627篇 |
| 2011年 | 20143篇 |
| 2010年 | 15798篇 |
| 2009年 | 17695篇 |
| 2008年 | 18090篇 |
| 2007年 | 17776篇 |
| 2006年 | 15504篇 |
| 2005年 | 14214篇 |
| 2004年 | 13603篇 |
| 2003年 | 13402篇 |
| 2002年 | 12634篇 |
| 2001年 | 12835篇 |
| 2000年 | 11867篇 |
| 1999年 | 12593篇 |
| 1998年 | 32815篇 |
| 1997年 | 22898篇 |
| 1996年 | 17452篇 |
| 1995年 | 13035篇 |
| 1994年 | 11283篇 |
| 1993年 | 10972篇 |
| 1992年 | 7913篇 |
| 1991年 | 7417篇 |
| 1990年 | 7261篇 |
| 1989年 | 7013篇 |
| 1988年 | 6468篇 |
| 1987年 | 5765篇 |
| 1986年 | 5655篇 |
| 1985年 | 6265篇 |
| 1984年 | 5900篇 |
| 1983年 | 5170篇 |
| 1982年 | 4900篇 |
| 1981年 | 4966篇 |
| 1980年 | 4704篇 |
| 1979年 | 4555篇 |
| 1978年 | 4356篇 |
| 1977年 | 5280篇 |
| 1976年 | 6914篇 |
| 1975年 | 3747篇 |
| 1974年 | 3502篇 |
| 1973年 | 3629篇 |
| 1972年 | 2956篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 265 毫秒
101.
102.
Bochkareva N. I. Ivanov A. M. Klochkov A. V. Kogotkov V. S. Rebane Yu. T. Virko M. V. Shreter Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode... 相似文献
103.
104.
105.
106.
107.
108.
109.
110.
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of... 相似文献