GaN基HEMT场板结构研究进展

综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式.     

“电力电子技术”课程教学模式研究

本文分析了“电力电子技术”课程的特点及实施教学的挑战性;探索并设计了以分析方法为路线,以关键性问题为导向的教学结构;提炼了用于电力电子电路教学的两个定律、四种方法以及八个关键问题.从教学实践结果看,提出的关键问题面向工程实际且涵盖了电力电子电路的主要分析技巧与知识点,拓展了学生的分析思维,为知识再创新提供理论与实践基础.     

基于图像模糊度与主成分分析的车牌汉字识别

针对车牌汉字字符结构复杂且图像品质差异大而导致识别率不高的情况,提出了一种基于图像模糊度的主成分分析(PCA)子空间车牌汉字字符识别方法。首先通过三角模和非模糊基数计算字符图像的模糊度,然后根据模糊度将训练样本分成不同的子集并生成相应的PCA子空间族,最后以待识别字符的模糊度为依据选择相应的子空间族进行识别。实验数据表明,本文方法使得子类的类内距离变小类间距离增大,从而可以获得较高的识别率。与其他算法的对比实验进一步表明,本文算法能更好地同时满足精度和实时性的要求,具有良好的综合性能。     

A 640 by 480 Pixels Readout Circuit for IR Imaging

A readout circuit for a 640 × 480 pixels FPA (focal plane array) has been successfully designed, fabricated and tested. The circuit solution is based on a per pixel source-follower direct injection (SFDI) pre-amplifier. Signal multiplexing is performed in both X and Y direction. The pixel size is 25 m × 25m. The chip is optimized for a QWIP (quantum well infrared photodetector) operating at a temperature of 70 K. The circuit has been realized in a standard 0.8 m CMOS process.     

多频段天线罩功率传输系数的优化设计

按射线跟踪法分析天线罩的理论,把罩壁近似为均匀多层介质平板,对其传输特性进行了分析;根据天线罩须在多个频率段上有较高传输系统的特殊要求,按最大最小原则建立了二重优化模型,采用ＳＵＭＴ外点法和ＰＯＷＥＬＬ法相结合对天线罩的各层介质壁厚进行优化设计;对某型２０／３０ＧＨｚ双频段卫星通信天线罩的优化达到了预期效果。     

互联网证券舆情多空倾向性判别研究

目前证券市场上小道消息、操控舆论、证券黑嘴等违法现象接连出现,证券舆情安全问题日益严重。针对该问题,文章设计实现一种证券舆情多空倾向判别方法。首先创建证券舆情语料库,根据证券舆情语料库快速扫描文章的内容信息。将证券舆情多空属性词与具体证券的信息点进行关联,并映射到证券对象。去除噪声的干扰,统计出来多空数据结果,依据结果进行计算,最终得到该证券文章的多空倾向性判别结果。即从海量的互联网证券资讯中计算出相关舆情对证券实体对象看多与看空的态度,对于判别证券市场的虚假消息具有很好的应用价值。     

TR组件焊接可靠性工艺研究与应用

对毫米波TR(transmitter and receiver)组件焊接过程中线膨胀系数(CTE)失配机理和由于CTE失配导致的热机械应力对组件可靠性的影响进行了分析。根据阶梯焊接温度精确控制和无铅焊料可靠浸润的要求,从实践中总结出了一种真空预镀涂焊接新工艺。实践表明,该新工艺可以精确地进行阶梯焊接温度控制,使无铅焊料有很好的浸润效果,焊透率由70%以下提高到98.3%,延长了CTE不匹配造成的疲劳失效发生时间,提高了TR组件使用可靠性。     

预烧工艺对MgTiO3系MLCC瓷料性能的影响

以Mg(OH)2,TiO2,CaCO3和ZnO为主要原材料,采用不同预烧工艺合成了MgTiO3主晶相材料。研究发现,快速升温到高温区(1150℃),然后降低温度至1000℃并保温4h所得的MgTiO3主晶相材料,为结构均匀、近似球形的颗粒,用其制备的MLCC瓷料,比表面积为5.5～6.5m2/g,分散性好。这种瓷料适合制造薄介质膜,制得的MLCC具有优良的介电性能,其绝缘强度E大于1.243V/m,tanδ小于1.3×10–4,εr为15.0～15.5。     

低功耗电荷泵可编程增益放大器的设计与实现

提出了一种低功耗电荷泵可编程增益放大器(PGA)电路模型.通过简单数学建模和VerilogA仿真,得出了一般自动增益控制电路(AGC)优化稳定时间的条件和简化模型,通过ADC、电荷泵,进一步简化电路,降低功耗,并实现数字控制功能.根据这种设计,采用TSMC 0.18 μm CMOS 单层多晶硅6层金属工艺,实现了一个功耗电流为1 mA、线性增益范围为60 dB的电荷泵可编程增益放大器.     

1.25Gb/s CMOS高灵敏度宽动态范围跨阻放大器

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于1.25Gb/s光纤通信接收机的高灵敏度、宽动态范围跨阻放大器电路。引入电流注入技术提高输入管跨导、优化噪声性能、提高灵敏度。自带直流反馈实现直流消除功能,同时采用自动增益控制机制,提高动态范围。仿真结果表明,该电路具有82.02dBΩ的跨阻增益、872.7MHz的带宽、23.74kHz的低频截止频率,输入等效噪声电流为4.08pA/Hz(1/2),最大输入光信号为+3dBm(2mA),在3.3V的电源电压下,芯片功耗为43.4mW。