宽带高增益圆极化微带-喇叭组合天线

研究了一种具有良好工作性能的微带-喇叭组合右旋圆极化天线,首先设计了一种双层宽带圆极化微带天线结构,同时满足电压驻波比(VSWR)≤2,轴比(AR)≤4 dB的频带宽度(Bw)≥24%,主极化增益大于9 dBi;通过引入角锥喇叭结构,在工作频带内将天线增益提高到12 dBi以上,同时不影响原天线的其他性能。为更好了解微带-喇叭组合右旋圆极化天线的性能,并快速而准确地设计该天线结构,对天线主要几何参数进行了适当分析和研究。     

位相板在大型几何量形位误差测量中的应用

介绍了利用位相板技术进行准直的工作原理和特点,以及如何利用该项技术有效地确定激光准直光束的几何基准,并介始了以此技术为基础的光学基准在大型几何量形位误差测量中的应用。     

测量精度达3.2nm的在线表面粗糙度外差干涉仪信号处理系统

介绍了用于磨床加工的光外差表面粗糙度在线干涉测量仪整机的信号处理系统,着重讨论了其中的两项关键技术,即利用负反馈构成的宽动态范围测量信号的自动电压控制以及依据计大数和测小数相结合的高精度动态相位测量,系统的测量精度达２．６°（相当于３．２ｎｍ）,允许测量中最大多普勒频移±１０ｋＨｚ（对应高度的变化率±８．７５×１０＾－３ｍ／ｓ）完全满足磨床加工中表面粗糙度在线测量的要求。现场测试证实了这一点,这对     

《新建筑》（双月刊）

常常听说：“规划就是生产力”;这可算至理名言：其理由乃众所周知,不必解释。然而,如果搞得不好,也必然适得其反,会变成负生产力,即生产发展的阻力。     

熔融制样-X射线荧光光谱法测定稀土硅铁中11种主次元素

采用X射线荧光光谱法(XRF)测定稀土硅铁中硅、锰、铝、铁、钛及镧系元素时,熔融制样过程中氧化条件不好控制,容易造成挂壁坩埚过早熔化或坩埚挂壁不好的现象,使铂-金坩埚受到严重侵蚀。实验以四硼酸锂为熔剂铺底保护铂-金坩埚,使用碳酸锂对稀土硅铁样品进行烧结氧化;再采用过氧化钠进行深度氧化,解决了稀土硅铁合金对铂-金坩埚腐蚀的问题。试样和四硼酸锂熔剂的质量比为1∶30,在1 100℃下熔融试样12 min,可制得表面质量良好的玻璃片,有效地消除了试样的粒度效应和矿物效应影响。按照实验方法测定稀土硅铁中硅、锰、铝、钙、铁、钛、镧、铈、镨、钕、钐等11种主次元素,结果的相对标准偏差(RSD,n=10)为0.39%～5.0%,与标准方法及滴定法分析结果吻合较好,能满足稀土硅铁中主次元素的检测需求。     

四-(全氟苯基)-卟啉锌与四苯基卟啉锌的比较研究

用紫外-可见吸收光谱和循环伏安法对四-（全氟苯基）-卟啉锌和四苯基卟啉锌的电子结构进行了对比研究,发现外围氟取代可以有效提高卟啉锌的氧化电位而不改变其电子跃迁能隙。通过四-（全氟苯基）-卟啉锌和四苯基卟啉锌的吸收性状、透射电镜下的微观形态和X射线衍射图样的对比分析,发现外围氟取代使分子的排列方式、晶体生长模式和晶格类型都明显改变。     

三芳胺类空穴传输材料研究新进展

综述了广泛应用于有机光电器件的三芳胺类空穴传输材料的研究新进展,探讨了该类材料的分子设计思想,并对其分子结构与性能关系作了概述。     

CAN总线干扰发生器研制

本文研制了一种可以用来模拟CAN总线错误并能够干扰CAN总线物理层特性的CAN总线干扰发生器设备。该设备可以在用户配置下工作在不同的触发模式、产生不同的干扰模式,用来满足不同的CAN总线测试需要。文中详细介绍了CAN总线干扰发生器的功能及软硬件设计,最后的测试结果证明了CAN总线干扰发生器的有效性。     

共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的研究进展

综述了共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的特点、原理、材料体系、制备、光电性能以及表征手段,并简要介绍了其在光电器件中的应用,研究表明共升华可控掺杂是大幅度提高有机半导体材料性能的有效手段,并提出了设计和制备高性能共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的若干原则。