面向不平衡数据集的汽车零部件质量预测

针对汽车零部件质检数据存在合格品与不合格品数量不平衡的问题,提出了基于密度聚类与多工序制造特征的MCDC-MF-SMOTE质检数据过采样方法.先对少数类(不合格)与多数类(合格)样本分别进行密度聚类,再对多工序制造数据和类簇样本分布进行过采样权重计算;根据设定的过采样比和类簇权重,在少数类簇中进行过采样数据生成.使用M...     

基于JSON文档结构的工业大数据多维分析方法

在智能生产制造过程中,工业数据存在复杂的关联关系和多源异构特性,不断增长的工业大数据使得数据分析与挖掘异常复杂,而传统的基于数据仓库或关系型数据库的工业数据分析方法数据处理不灵活、分析查询效率低。提出了基于JSON文档结构的工业大数据联机分析处理(OLAP)模型架构,使用Key-Value数据的JSON文档结构灵活定义工业数据结构,将维度信息中的表结构转换为基于JSON的文档结构,将事实包含的维度信息通过嵌套文档的方式保存。通过构建分析目标为根节点的文档树,基于Elasticsearch平台储存文档结构树并建立倒排索引,将查询与分析操作转变为文档内容的遍历与查询,使用倒排索引的方法提高数据分析查询的效率。设计了自定义配置检索条件与查询语句的智能解析引擎,实现了工业数据多维分析可视化图表的智能生成。     

Study of the upper bound of tool edge radius in nanoscale ductile mode cutting of silicon wafer

In cutting of brittle materials, experimentally it was observed that there is an upper bound of tool cutting edge radius, beyond which, although the undeformed chip thickness is smaller than the tool cutting edge radius, the ductile mode cutting cannot be achieved. However, why there is an upper bound of tool cutting edge radius in nanoscale ductile mode cutting of brittle materials has not been fully understood. In this study, based on the tensile stress distribution and the characteristics of the distribution obtained from molecular dynamics simulation of nanoscale ductile cutting of silicon, an approximation for the tensile stress distribution was obtained. Using this tensile stress distribution with the principles of geometrical similarity and fracture mechanics, the critical conditions for the crack initiation have been determined. The result showed that there is a critical tool cutting edge radius, beyond which crack initiation can occur in the nanoscale cutting of silicon, and the chip formation mode is transferred from ductile to brittle. That is, this critical tool cutting edge radius is the upper bound of the tool cutting edge radius for ductile mode cutting of silicon.     

[质量优化]基于FP-Growth改进算法的轮胎质量数据分析

针对轮胎制造过程质量异常的问题分析,介绍了轮胎质量数据获取、有效整合与数据分析流程,基于Hive数据仓库构建了生产数据与产品检测数据相关联的结构化数据集。针对现有频繁模式增长（FP-Growth）算法存在FP树建树性能较低与大数据处理效率低的问题,提出了一种改进的FP-Growth算法,在原有的频繁项头表基础上新增一个tail属性,加速FP树构建。实验结果表明,改进后的FP-Growth并行算法能够有效提高轮胎质量异常数据的关联分析效率, 能够找出影响轮胎质量的生产制造重要因素,并且适用于大数据量的数据挖掘。     

电子封装技术和封装材料

本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。     

高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势

对PWB制造技术的要求主要有:适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求:适应无卤化的要求;适应埋入无源及有源器件的系统集成封装要求;适应搭载新功能器件的要求;适应低价格的要求;适应更短供货期的要求。本文以要求更为严格的封装基板为中心,介绍了目前PWB制造技术的发展动向。     

恒速压汞技术在长2储层孔隙结构研究中的应用

恒速压汞技术是储层微观孔隙结构定性和直观分析的先进技术之一。文中应用该技术对定边油田张韩区块长2储层微观孔隙结构进行分析研究．得到了孔隙与喉道的大小及其分布频率等参数。在此基础上．分析了孔隙大小、孔隙体积、喉道大小及孔喉比等参数对微观孔隙结构的影响。分析结果表明,低渗透储层有效喉道半径越大,其渗流通道越宽,不同渗透率级别的低渗储层．其差异主要体现在喉道大小及分布上;喉道特征是决定储层物性的关键因素,不同渗透率级别的储层岩石由不同半径的喉道控制;储层岩石的孔喉比参数对水驱油渗流特征、剩余油微观分布特征及驱油效率等均有较大影响。     

VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计

为满足超大规模集成电路的要求，人们对ＡｌＮ陶瓷封装进行了大量的研究。通过实际考察材料的性能和结构设计，本文讨论了相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等     

电子封装技术的最新进展

现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.     

SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析

分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件-MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律.