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71.
Argon ions were implanted into n-type 6H-SiC epitaxial layers at 600°C. Postimplantation annealing was carried out at 1,600°C for 5 min in an Ar ambient. Four implantation-induced defect levels were observed at EC-0.28 eV, EC-0.34 eV, EC-0.46 eV, and EC-0.62 eV by deep level transient spectroscopy. The defect center at EC-0.28 eV is correlated with ED1/ED2 and with ID5. The defect at EC-0.46 eV with a capture cross section of 7.8 × 10−16 cm2 is correlated with E1/E2, while the defect at EC-0.62 eV with a capture cross section of 2.6 × 10−14 cm2 is correlated with Z1/Z2. Photo deep level transient spectroscopy was also used to study these defects. Upon illumination, the amplitudes of the deep level transient spectroscopy (DLTS) peaks increased considerably. Two emission components of Z1/Z2 were revealed: one fast and the other slow. The fast component could only be observed with a narrow rate window. In addition, a new defect was observed on the low-temperature side of the defect at EC-0.28 eV when the sample was illuminated. [rl](Received ...; accepted ...)  相似文献   
72.
Soluble poly(4-alkylstyrene) containing 4-methyl-, 4-tert-butyl, 4-dodecyl-, and 4-octadecylstyrene were formed either with monomers containing dyes-, ligands, or catalysts or with 5–10 mol% of 4-chloromethylstyrene and studied as supports for ligands or catalysts. Studies with dye-labeled polymers showed that polymers containing longer alkyl groups alone or at ca. 10 mol% loading are highly soluble in heptane can be used to separate and recycle organo- and transition metal catalysts.  相似文献   
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