首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   206451篇
  免费   2342篇
  国内免费   566篇
电工技术   3526篇
综合类   143篇
化学工业   31973篇
金属工艺   10270篇
机械仪表   7020篇
建筑科学   4014篇
矿业工程   2161篇
能源动力   4635篇
轻工业   12894篇
水利工程   2920篇
石油天然气   7727篇
武器工业   22篇
无线电   21525篇
一般工业技术   45240篇
冶金工业   34508篇
原子能技术   6626篇
自动化技术   14155篇
  2021年   2053篇
  2019年   1999篇
  2018年   3681篇
  2017年   3723篇
  2016年   4005篇
  2015年   2238篇
  2014年   3790篇
  2013年   8749篇
  2012年   5694篇
  2011年   7235篇
  2010年   5875篇
  2009年   6495篇
  2008年   6625篇
  2007年   6505篇
  2006年   5579篇
  2005年   5133篇
  2004年   4643篇
  2003年   4567篇
  2002年   4374篇
  2001年   4482篇
  2000年   4191篇
  1999年   4208篇
  1998年   10227篇
  1997年   7215篇
  1996年   5521篇
  1995年   4147篇
  1994年   3608篇
  1993年   3849篇
  1992年   2990篇
  1991年   3001篇
  1990年   2899篇
  1989年   2861篇
  1988年   2874篇
  1987年   2516篇
  1986年   2573篇
  1985年   2859篇
  1984年   2692篇
  1983年   2560篇
  1982年   2304篇
  1981年   2274篇
  1980年   2351篇
  1979年   2363篇
  1978年   2384篇
  1977年   2492篇
  1976年   2885篇
  1975年   2190篇
  1974年   2070篇
  1973年   2169篇
  1972年   1941篇
  1971年   1755篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
42.
Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
43.
44.
45.
N. Boukortt  S. Patan&#;  G. Crupi 《SILICON》2020,12(7):1585-1591
The miniaturization has become a key word for advanced integrated circuits over the last few years. It is within this context that the fin field effect tra  相似文献   
46.
47.
48.
49.
An automated system for integrated electrophysical and optical studies of semiconductor nanoheterostructures, which operates in a wide temperature range from 15 to 475 K, is designed. The setup is intended to measure the temperature and frequency admittance and electroluminescence spectra of light-emitting diode and laser chips formed on substrates of diameter up to 50.2 mm, and the distribution of parameters over the wafer. The setup includes the closed-cycle helium cryogenic station, LCR meter, and temperature controller. The characterization results of nanoheterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells, which are used for creating highly efficient white and blue light-emitting diodes, are presented.  相似文献   
50.
The influence of the thermal cycling conditions on the thermal-cycling creep of a TN-1 alloy and the related irreversible deformations is studied. The conditions under which an anomalous increase in the irreversible deformations begins are determined. The structural mechanism of the irreversible deformations of an equiatomic alloy is shown to be analogous to the structural mechanism of metal creep at high temperatures: it predominantly has a dislocation character. It is proposed to use the effect of anomalous increase in the deformation of materials with reversible martensitic transformations for forming parts made of these materials at low temperatures.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号