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介绍了一种用于RISC单片机PIC16C57的寄存器堆,讨论了为降低功耗所采用的分块结构,详细说明了译码逻辑、SRAM单元、读/写电路和文件选择寄存器等电路的形式及其工作原理 相似文献
113.
用发展的Sachs法研究模拟轧辊中的残余应力 总被引:3,自引:0,他引:3
对不同辊型,尺寸,材料与加工处理方法的模拟冷轧辊进行了内剥层试验研究,求出了原辊和打中心孔或扩孔后辊内残余应力分布曲线,提出了虚拟打孔法和虚拟剥层法,解决了实心辊中心和空心辊内表层的残余应力的精确测量问题,丰富了Sachs内剥层法的内容,机械法打中心孔,热处理前打中心孔,空心辊表淬前改变温度场的方法可降低残余应力值,后者降低残余应力的效果尤为显著。 相似文献
114.
Zhen Wang 《Applied Composite Materials》1995,2(4):257-264
A bimodal Weibull distribution function was applied to analyse the strength distribution of glass fibre bundles under tensile impact. The simulation was performed using a one-dimensional damage constitutive model. The results show that there were two concurrent flaw populations in the fracture process. The regression analysis using the bimodal Weibull distribution function was in good agreement with experiment. 相似文献
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116.
浅谈扑救易燃易爆储罐重特大火灾之准备 总被引:1,自引:0,他引:1
沿海地区易燃易爆企业发展快,数量多、规模大,给消防工作带来了新的机遇和挑战。如何做好这类企业重特大火灾的扑救准备,从信息资源、基础设施、消防装备、灭火技术、联动机制等方面作了一些探讨。 相似文献
117.
LIHong-kun MAXiao-fiang WANGZhen ZHUHong 《国际设备工程与管理》2003,8(4):233-238
The local wave method is a very good time-frequency method for nonstationary vibration signal analysis. But the interfering noise has a big influence on the accuracy of time-frequency analysis. The wavelet packet de-noising method can eliminate the interference of noise and improve the signal-noise-ratio. This paper uses the local wave method to decompose the de-noising signal and perform a time-frequency analysis. We can get better characteristics. Finally, an example of waveletpacket denoising and a local wave time-frequency spectrum application of diesel engine surface vibration signal is put forward. 相似文献
118.
119.
Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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阐述了长螺旋水下灌注桩的技术要点及技术参数控制标准,结合工程实例中桩基检测的结果,分析表明,采用长螺旋水下灌注桩技术施工便捷、噪声小、效率高、成本低,是一种经济、高效、环保的施工工艺. 相似文献