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51.
In order to gain insight into the relationship between the failure probability and the spectrum efficiency,both failure probability (FP) and load balancing (LB) were attempted to minimize in flexible bandwidth optical networks.An optimized FP-LB algorithm was developed to reduce failure probability and to improve the spectrum efficiency,and a traditional algorithm was further introduced for comparison in flexible bandwidth optical networks.Simulation results show that the optimized FP-LB algorithm reduces 69.8% blocking probability,45.3% spectrum occupancy rate,and 41.9% average failure probability compared to the traditional algorithm.Obviously,the optimized FP-LB algorithm achieves the joint optimization of both failure probability and load balancing.  相似文献   
52.
Flexible and air-stable phototransistors are highly demanded for wearable near-infrared (NIR) image sensors. However, advanced NIR sensors via low-cost, solution-based processes remained a challenge. Herein, high-performance inorganic–organic hybrid phototransistors are achieved based on solution processed n-type metal oxide/polymer semiconductor heterostructures of In2O3/poly{5,5′-bis[3,5-bis(thienyl)phenyl]-2,2′-bithiophene-3-ethylesterthiophene]} (PTPBT-ET). The In2O3/PTPBT-ET hybrid phototransistor combines the advantages of both fast electron transport in In2O3 and high photoresponse in PTPBT-ET, showing high saturation mobility of 7.1 cm2 V−1 s−1 and large current on/off ratio of >107. As a result, the phototransistor exhibits high performance towards NIR light sensing with a responsivity of 200 A W−1, a specific detectivity of 1.2 × 1013 Jones, and fast photoresponse with rise/fall time of 5/120 ms. Remarkably, the hybrid phototransistor, without any passivation, demonstrates excellent electrical stability without performance degradation even after 160 days in air. A 10 × 10 phototransistor array is also enabled by virtue of the high device uniformity. Lastly, flexible In2O3/PTPBT-ET phototransistor on polyimide substrate is attained, exhibiting outstanding mechanical flexibility up to 1000 bending/releasing cycles at a bending radius of 5 mm. These achievements pave the way for constructing air-stable hybrid phototransistors for flexible NIR image sensor applications.  相似文献   
53.
苹果手机的诞生标志着基于用户体验的经济时代已经全面来临,当同类竞争产品之间的功能相差不大时,用户体验将提升为产品的核心价值.在通信系统和产品中,3G、4G时代是体验经济的时代,运营商的一切营销活动和网络业务的规划与优化,都要以用户体验为中心.这里提出基于智能管道的移动互联网用户体验模式的创新,大致分为2个方面:网络所购即所得,和业务所想即所见.  相似文献   
54.
55.
飞秒激光在工业加工、精密测量、军事国防、科学研究等领域具有广阔的应用前景。报道了基于光谱控制与色散优化的高功率、高脉冲质量飞秒啁啾脉冲放大系统。利用与压缩器色散量相匹配的色散可调啁啾布拉格光纤光栅(CFBG)作为展宽器,通过微调CFBG色散量补偿系统的残余色散使整个系统的净色散趋于零;同时引入光谱滤波等手段,保证入射到主放大器之前的脉冲光谱形状不发生畸变,避免了放大过程中脉冲质量的劣化。最终获得了重复频率为50 MHz、平均功率为24 W、脉冲宽度为198 fs的高脉冲质量飞秒激光输出。  相似文献   
56.
本文提出了一种通过基于智能视频监控的商场超市客流行为智能分析,对监控区域的顾客数量、顾客滞留时间、运动轨迹等进行实时的自动统计,从而实现基于视频分析的商场超市智能经营决策支撑系统的创新应用,从而辅助商场管理者进行精细化管理和运营.其核心技术包括了运动目标检测、人体目标识别和运动人体跟踪等开放环境下的视频分析算法.  相似文献   
57.
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试,当器件Vds=10V时,在5.3~5.7GHz频段输出功率P0≥47.8dBm(60.3W),功率附加效率PAE≥42.8%,其中在5.5GHz频率点,输出功率达到48dBm(63.1W),附加效率为46.8%。  相似文献   
58.
为研究功率MOSFET零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC),不同栅极电压对温度系数的影响,本文基于阈值电压和迁移率的温度关系并结合功率MOSFET输出特性模型,得到了随栅极电压变化而出现的三种不同温度系数。利用实际测试验证了温度系数的变化规律,结果表明:在小栅极电压条件下,线性区和饱和区均为正温度系数;随栅极电压增大,线性区先进入负温度系数,饱和区仍然为正温度系数,并因此产生了零温度系数点;随栅极电压进一步增大,线性区和饱和区都进入负温度系数。同时根据测试数据,分析了ZTC在不同栅极电压条件下随温度的变化原因,并基于测试数据讨论了迁移率随栅极电压和温度的变化关系。  相似文献   
59.
研究镁合金微弧氧化膜的表面层与致密层界面处的组织形态。在磷酸盐碱性电解液(5~20g/LNaH2PO4,1~5g/LNaOH,5~8g/LKF,0.5~2g/LNa3C6H5O7,0.5~2g/LEDTA)中,以AZ91镁合金为基体制备出微弧氧化陶瓷薄膜,制备时采用恒电流控制模式,电流密度为10~30A/dm2。采用透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)研究氧化薄膜界面及附近区域的微观结构。结果表明:微弧氧化膜的表面层靠近表面层与致密层界面处的组织以微晶和纳米晶为主,含有少量非晶态物质;微弧氧化膜的表面层与致密层界面处的组织以非晶态物质为主;微弧氧化膜的致密层靠近表面层与致密层界面处的组织为混晶组织,主要为MgO晶粒,少量为MgAlO4晶粒,并含有少量非晶态物质。  相似文献   
60.
机载用频设备的增加和截获接收技术的发展,导致航空器在电子对抗中的生存能力受到严重威胁。该文阐述了射频隐身的概念和基本原理,概括射频隐身技术的研究现状及主要矛盾。其次,重点以雷达射频辐射模型为主线,归纳了功率控制、波形设计、环境利用等时域、空域、频域、能量域的射频隐身技术,总结射频隐身领域的重要研究成果。最后,基于对已有算法和研究成果的分析,提出当前研究中存在的射频隐身技术局限性、评估指标单一性等问题,预测了射频隐身技术未来的研究方向。  相似文献   
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