退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

在L EC Ga As晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70 % ,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了Ga As晶体的断裂模数.原生Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa,而退火Ga As晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为15 0 MPa,断裂模数最高值达16 3MPa.     

Nanofabrication of 1-D photonic bandgap structures along a photonic wire

A strongly-guided one-dimensional (1-D) waveguide called a photonic wire has high spontaneous emission coupling efficiency, enabling one to realize low-threshold lasers. Combined with the use of 1-D photonic bandgap structures consisting of arrays of holes etched within the photonic wire, novel microcavity lasers can be realized. We report the nanofabrication of a photonic bandgap structure for 1.5 /spl mu/m wavelength along a InGaAsP photonic wire, and discuss numerical simulations for its electrodynamics.     

Directional light output from photonic-wire microcavity semiconductor lasers

We have obtained directional light output from a recently realized InGaAsP photonic-wire microcavity ring lasers. The output was achieved by fabricating a 0.45-/spl mu/m-wide U-shape waveguide next to a 10-/spl mu/m diameter microcavity ring laser. The laser has a threshold pump power of around 124 /spl mu/W when optically pumped at 514 nm. It is comparable to the former structure without output coupling. The output coupling efficiency can be controlled carefully by choosing the spacing between the laser cavity and the waveguide.     

180×10~4t/a蜡油加氢装置满负荷生产的瓶颈与对策

武汉石化蜡油加氢装置设计加工负荷为180×104t/a,其中加工直馏重蜡油110.11×104t/a,加工焦化蜡油69.89×104t/a,主要为下游两套催化装置提供低含硫、含氮的精制蜡油。针对装置满负荷生产时出现系统压力及循环氢流量大幅波动的生产瓶颈,分别尝试了开大E3101副线及开大循环氢压缩机K3102返回线两种方式,来降低混氢点处气相负荷,克服管线中流速过低造成系统压力波动的影响。实际结果表明,开大E3101副线及K3102返回线均能达到装置满负荷生产,但开大E3101副线时装置关键设备运行的苛刻度较高,而通过开大K3102返回线来达到装置满负荷生产时,关键设备运行的苛刻度较低。通过开大K3102返回线,装置能耗降低约0.92kg标油/t,氢耗降低约10%,外送低分气减少300m3/h(标准),技术经济指标有所提高。     

大功率白光LED封装技术对器件寿命的影响

通过功率LED器件封装工艺技术的改进来降低芯片结温,从而减缓器件光衰速率,延长其预期的工作寿命时间。对用于封装的关键原材料的选取进行了对比实验,指出了采用纳米级材料改进导热可降低热阻,论述了正确选用混胶材料和工艺,可以减缓器件光衰速率,达到在较高的环境温度条件下,器件使用寿命大于50 000 h。论述了器件芯片的结温对光、电、色性能的影响和不同结温其预期工作寿命时间也不同的关联性。     

SAN多协议路由器流控机制的设计与实现

为了保障SAN多协议路由器高速稳定的运行并提高系统的兼容性,提出一种存储区域网络下的流控机制。SAN多协议路由器底层与上层软件间采用基于门阈的流控,进行速率匹配,使系统能够正常运行。与连接的设备间采用基于credi(t接收缓冲区数量)的流控以保证SAN路由器系统与连接设备间速率相匹配。实验结果表明引入流控机制后SAN路由器能与各种磁盘阵列及hba卡等设备正常通信,具备很好的兼容性,并能保证在最高2Gbps高速情况下稳定运行。     

案例教学法在电机与拖动教学中的应用研究

针对自动化专业电机与拖动专业课课堂教学中的常规教学法,提出了"案例式"教学法。相对于常规教学法中学生被动地接受教师传授的知识的缺点,"案例式"教学法能让学生主动接受教师所传授的知识,激发学生学习的积极性,同时能提高学生课堂听课效率。     

IPTV及手机电视换台加速策略初探

网络电视及手机电视的换台时延如果较长,就容易影响到用户的收视体验.本文从这一问题出发,给出了一种方法,即通过为组播复制点等网络节点添加缓存资源,用于暂存节目数据,并以突发的形式传递给STB(机顶盒)或手机终端,从而实现换台加速的目的.     

高硼硅3.3玻璃和可伐合金的激光封接界面研究

采用多道激光透射封接技术,对大尺寸3.3高硼硅玻璃-可伐合金封接工艺进行了探索性研究,采用正交实验方法,实现了两种材料的可靠封接.确定了优化工艺参数:扫描速度为25mm/s,激光功率为1OOW,离焦量为+40mm,扫描次数2次.通过使用SEM.EDX以及激光共聚焦显微镜观测硼硅玻璃-可伐合金的激光封接断面,对比相图,就结合界面的特征和机理进行了初步分析,Fe2SiO4化合物的形成是两者能够可靠封接的主要原因,确定了两种材料的激光可封接性.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.