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991.
M. Hofbaur ÖVE N. Dourdoumas ÖVE 《e & i Elektrotechnik und Informationstechnik》1997,114(7-8):371-379
Qualitative-quantitative simulation is one of the most productive and promising research areas in Artificial Intelligence to emerge in recent years. This method provides an elegant way for an exhaustive analysis of uncertain dynamic systems. The application of the qualitative-quantitative simulation is shown in this paper. The important question about the stability of a quanlitatively described dynamical system is solved by a novel analytic method. 相似文献
992.
993.
994.
995.
Yi-Min Wang Hua Lee Dipali V. Apte 《International journal of imaging systems and technology》1992,4(3):201-206
The matrix pencil (MP) method, based on the singular value decomposition (SVD), is applied to quantitative NMR spectroscopy. Its relationship to other SVD-based methods is also presented. Simulations and applications are given to demonstrate the capability of superior performance.©1993 John Wiley & Sons Inc 相似文献
996.
Institute of Rock Mechanics, Academy of Sciences of the USSR, Moscow. Translated from Fiziko-Tekhnicheskie Problemy Razrabotki Poleznykh Iskopaemykh, No. 1, pp. 39–44, January-February, 1992. 相似文献
997.
998.
G. A. Sirenko R. V. Sorokatyi O. M. Khryashchevskaya 《Chemical and Petroleum Engineering》1991,27(4):227-229
Translated from Khimicheskoe i Neftyanoe Mashinostroenie, No. 4, pp. 32–33, April, 1991. 相似文献
999.
1000.
Bera L.K. Ray S.K. Mukhopadhyay M. Nayak D.K. Usami N. Shiraki Y. Maiti C.K. 《Electron Device Letters, IEEE》1998,19(8):273-275
Growth of ultrathin (<100 Å) oxynitride on strained-Si using microwave N2O and NH3 plasma is reported. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results indicate a nitrogen-rich layer at the strained-Si/SiO2 interface. The electrical properties of oxynitrides have been characterized using a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. A moderately low value of insulator charge density (6.1×1010 cm-2) has been obtained for NH3 plasma treated N2O oxide sample. Nitrided oxide shows a larger breakdown voltage and an improved charge trapping properties under Fowler-Nordheim (F-N) constant current stress 相似文献