全文获取类型
收费全文 | 167848篇 |
免费 | 11820篇 |
国内免费 | 6090篇 |
专业分类
电工技术 | 8689篇 |
技术理论 | 9篇 |
综合类 | 8716篇 |
化学工业 | 27228篇 |
金属工艺 | 9971篇 |
机械仪表 | 10045篇 |
建筑科学 | 9777篇 |
矿业工程 | 3930篇 |
能源动力 | 3642篇 |
轻工业 | 9310篇 |
水利工程 | 3140篇 |
石油天然气 | 9523篇 |
武器工业 | 1051篇 |
无线电 | 17491篇 |
一般工业技术 | 26729篇 |
冶金工业 | 12361篇 |
原子能技术 | 4824篇 |
自动化技术 | 19322篇 |
出版年
2024年 | 714篇 |
2023年 | 2316篇 |
2022年 | 4594篇 |
2021年 | 6196篇 |
2020年 | 4664篇 |
2019年 | 4011篇 |
2018年 | 5119篇 |
2017年 | 5573篇 |
2016年 | 5127篇 |
2015年 | 5635篇 |
2014年 | 7287篇 |
2013年 | 8879篇 |
2012年 | 9523篇 |
2011年 | 10223篇 |
2010年 | 8686篇 |
2009年 | 8517篇 |
2008年 | 8398篇 |
2007年 | 7887篇 |
2006年 | 7304篇 |
2005年 | 6238篇 |
2004年 | 4776篇 |
2003年 | 4701篇 |
2002年 | 4740篇 |
2001年 | 4319篇 |
2000年 | 3744篇 |
1999年 | 3357篇 |
1998年 | 2977篇 |
1997年 | 2409篇 |
1996年 | 2113篇 |
1995年 | 1808篇 |
1994年 | 1533篇 |
1993年 | 1318篇 |
1992年 | 1227篇 |
1991年 | 1091篇 |
1990年 | 1108篇 |
1989年 | 1032篇 |
1988年 | 919篇 |
1987年 | 872篇 |
1986年 | 780篇 |
1985年 | 729篇 |
1984年 | 701篇 |
1981年 | 677篇 |
1979年 | 738篇 |
1978年 | 784篇 |
1977年 | 764篇 |
1976年 | 856篇 |
1975年 | 716篇 |
1974年 | 719篇 |
1973年 | 723篇 |
1972年 | 705篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
74.
75.
76.
A. N. Utkina Yu. Yu. Cherkis M. N. Kozlova V. L. Kozlov 《Metal Science and Heat Treatment》1982,24(4):270-273
Conclusion To ensure the required characteristics of the diffusion layer in heat-resistant steels, it is recommended to subject them to two-stage nitriding: saturation at 950°C for 2 h in endogas with an addition of 12% natural gas and 4% ammonia, lowering the temperature to 900°C, holding for 5 h in endogas with an addition of 6% natural gas and 4% ammonia; exchange of gas 6 times.Translated from Metallovedenie i Termicheskaya Obrabotka Metallov, No. 4, pp. 34–36, April, 1982. 相似文献
77.
78.
79.
80.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献