低温硅双极晶体管基区优化设计

常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系，然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。     

77K MOSFET计算机模拟增量限制方法

对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

复参数最大熵图像重建的剑桥算法

本文将正实参数的最大熵图像重建的剑桥算法推广到复参数，此算法能较好的地恢复复参数“图像”。文中还给出了此算法在逆散射成像中应用的计算机模拟实验结果。     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

温度调谐LBO晶体光参量振荡器

本文详细研究０．５３２μｍ激光泵浦、温度调谐Ⅱ型非临界相位匹配ＬＢＯ光参量振荡器。当温度从２０℃升高到２００℃时，其信号波和闲置波的调谐范围分别为１．００２～０．８９８μｍ和１．１３４～１．３０６μｍ。本装置最吸引人之处是本征输出线宽比Ⅰ型情形小一个量级。     

双波长Nd：YAG脉冲激光器的实验研究

根据多波长同时振荡条件，我们建立了大能量１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ同时运转的双波长脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光器。得到了１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ的激光输出能量分别为０．５９４Ｊ和０．８６１Ｊ，效率分别为０．３１％和０．４５％。实验结果说明了该双波长激光器有较好的时间和空间重选性。     

利用空间多普勒调谐技术冷却原子及其速度单一化

本文理论计算了用圆锥管内多次全反射激光而产生的多普勒频移来冷却原子束的机制。给出了最佳冷却原子束的圆锥管的夹角、长度、反射次数及激光入、出射角等参数。理论计算了原子束经过圆锥管冷却的速度分布情况。数值计算结果表明：采用两个长１３０ｃｍ的锥形管来冷却原子束，选用合适的失谐量可使极大部分速度小于１２００ｍ／ｓ的原子冷却到８ｌｍ／ｓ，并且可得到单一速度的高亮度的原子束。