全文获取类型
收费全文 | 20800篇 |
免费 | 2230篇 |
国内免费 | 1158篇 |
专业分类
电工技术 | 1434篇 |
技术理论 | 3篇 |
综合类 | 1481篇 |
化学工业 | 3299篇 |
金属工艺 | 1170篇 |
机械仪表 | 1390篇 |
建筑科学 | 1872篇 |
矿业工程 | 630篇 |
能源动力 | 550篇 |
轻工业 | 1453篇 |
水利工程 | 403篇 |
石油天然气 | 1081篇 |
武器工业 | 201篇 |
无线电 | 2410篇 |
一般工业技术 | 2379篇 |
冶金工业 | 1022篇 |
原子能技术 | 230篇 |
自动化技术 | 3180篇 |
出版年
2024年 | 196篇 |
2023年 | 465篇 |
2022年 | 885篇 |
2021年 | 1195篇 |
2020年 | 862篇 |
2019年 | 637篇 |
2018年 | 665篇 |
2017年 | 695篇 |
2016年 | 650篇 |
2015年 | 923篇 |
2014年 | 1071篇 |
2013年 | 1193篇 |
2012年 | 1306篇 |
2011年 | 1291篇 |
2010年 | 1186篇 |
2009年 | 1094篇 |
2008年 | 1140篇 |
2007年 | 1045篇 |
2006年 | 1006篇 |
2005年 | 919篇 |
2004年 | 728篇 |
2003年 | 584篇 |
2002年 | 575篇 |
2001年 | 492篇 |
2000年 | 476篇 |
1999年 | 486篇 |
1998年 | 372篇 |
1997年 | 358篇 |
1996年 | 333篇 |
1995年 | 260篇 |
1994年 | 222篇 |
1993年 | 199篇 |
1992年 | 132篇 |
1991年 | 98篇 |
1990年 | 92篇 |
1989年 | 84篇 |
1988年 | 51篇 |
1987年 | 39篇 |
1986年 | 33篇 |
1985年 | 14篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 7篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 13篇 |
1971年 | 4篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
82.
83.
用大束流密度的钛金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物,随束流密度的增加,硅化钛生长,薄层硅化物的薄层电阻(Rs) 明显下降,当束流密度(J)为0-75A/m2 时,Rs 达到最小值16Ω/□,电阻率达到0-64μΩ·m 。经过1050 ℃快速退火20s 后,Rs 可下降到2-2Ω/ □,说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明,枝状连续的硅化物已经形成。X衍射分析表明,注入层中形成了TiSi和TiSi2 。背散射分析表明,其薄层厚度为80nm 。利用MEVVA金属离子注入,可获得直径达到Φ500m m 注入斑点。 相似文献
84.
Min Yan Jia‐Yan Liang Tong‐Tong Zuo Ya‐Xia Yin Sen Xin Shuang‐Jie Tan Yu‐Guo Guo Li‐Jun Wan 《Advanced functional materials》2020,30(6)
Solid polymer electrolytes (SPEs) are promising candidates for developing high‐energy‐density Li metal batteries due to their flexible processability. However, the low mechanical strength as well as the inferior interfacial regulation of ions between SPEs and Li metal anode limit the suppress ion of Li dendrites and destabilize the Li anode. To meet these challenges, interfacial engineering aiming to homogenize the distribution of Li+/electron accompanied with enhanced mechanical strength by Mg3N2 layer decorating polyethylene oxide is demonstrated. The intermediary Mg3N2 in situ transforms to a mixed ion/electron conducting interlayer consisting of a fast ionic conductor Li3N and a benign electronic conductor Mg metal, which can buffer the Li+ concentration gradient and level the nonuniform electric current distribution during cycling, as demonstrated by a COMSOL Multiphysics simulation. These characteristics endow the solid full cell with a dendrite‐free Li anode and enhanced cycling stability and kinetics. The innovative interface design will accelerate the commercial application of high‐energy‐density solid batteries. 相似文献
85.
基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。 相似文献
86.
Xue-ren Zhang Tong Yan Tee Jing-en Luan 《电子与封装》2006,6(2):10-15,4
<正>Packaging of MEMS ( micro-electro-mechanical system ) devices poses more challenges than conventional IC packaging, since the performance of the MEMS devices is highly dependent on packaging processes. A Land Grid Array ( LGA ) package is introduced for MEMS technology based linear multi-axis accelerometers. Finite element modeling is conducted to simulate the warpage behavior of the LGA packages. A method to correlate the package warpage to matrix block warpage has been developed. Warpage for both package and sensor substrate are obtained. Warpage predicted by simulation correlates very well with experimental measurements. Based on this validated method, detailed design analysis with different package geometrical variations are carried out to optimize the package design. With the optimized package structure, the packaging effect on accelerometer signal performance is well controlled. 相似文献
87.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
88.
89.