全文获取类型
收费全文 | 54827篇 |
免费 | 5204篇 |
国内免费 | 2628篇 |
专业分类
电工技术 | 3485篇 |
技术理论 | 8篇 |
综合类 | 3620篇 |
化学工业 | 9289篇 |
金属工艺 | 2920篇 |
机械仪表 | 3265篇 |
建筑科学 | 3920篇 |
矿业工程 | 1485篇 |
能源动力 | 1750篇 |
轻工业 | 3425篇 |
水利工程 | 1085篇 |
石油天然气 | 2779篇 |
武器工业 | 646篇 |
无线电 | 6870篇 |
一般工业技术 | 6695篇 |
冶金工业 | 2928篇 |
原子能技术 | 696篇 |
自动化技术 | 7793篇 |
出版年
2024年 | 202篇 |
2023年 | 847篇 |
2022年 | 1657篇 |
2021年 | 2423篇 |
2020年 | 1764篇 |
2019年 | 1485篇 |
2018年 | 1666篇 |
2017年 | 1763篇 |
2016年 | 1579篇 |
2015年 | 2243篇 |
2014年 | 2673篇 |
2013年 | 3408篇 |
2012年 | 3568篇 |
2011年 | 3780篇 |
2010年 | 3320篇 |
2009年 | 3222篇 |
2008年 | 3108篇 |
2007年 | 2944篇 |
2006年 | 2972篇 |
2005年 | 2468篇 |
2004年 | 1853篇 |
2003年 | 1615篇 |
2002年 | 1671篇 |
2001年 | 1529篇 |
2000年 | 1316篇 |
1999年 | 1331篇 |
1998年 | 1195篇 |
1997年 | 1000篇 |
1996年 | 807篇 |
1995年 | 665篇 |
1994年 | 501篇 |
1993年 | 432篇 |
1992年 | 325篇 |
1991年 | 265篇 |
1990年 | 183篇 |
1989年 | 180篇 |
1988年 | 144篇 |
1987年 | 83篇 |
1986年 | 85篇 |
1985年 | 72篇 |
1984年 | 33篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 36篇 |
1981年 | 34篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 21篇 |
1977年 | 16篇 |
1976年 | 19篇 |
1974年 | 13篇 |
1973年 | 14篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 156 毫秒
61.
62.
包装件压力试验机计算机测控系统 总被引:4,自引:2,他引:2
针对YE-50包装件压力试验机落后的测控系统,提出一种基于压力和位移闭环控制的计算机测控系统。根据测得的压力、位移和设定值,通过模糊控制输出驱动伺服阀实现了压力试验时的恒速控制和堆码试验时的恒力控制。并实时显示力——位移及应力——应变曲线。文中还对模糊控制器的实验整定方法进行了探讨。 相似文献
63.
Inerfield M. Skones W. Nelson S. Ching D. Cheng P. Wong C. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2003,38(9):1524-1532
To date, the development of multifunction multicarrier digital receivers for cellular base station and military communications applications has been limited by the demanding dynamic range requirements for the analog-to-digital converter (ADC). The use of oversampling delta-sigma modulators provides a promising approach to overcoming the dynamic range barriers Nyquist-rate converters face in the same applications. This paper discusses issues involved in the design of high-speed high dynamic range wide-band delta-sigma ADCs for such communications applications. Test results of prototype designs are also presented. The delta-sigma modulators described in this paper operate at sampling frequencies ranging from 1 to 2.5 GHz with center frequencies ranging from dc to 100 MHz, providing between 74 and 84.2 dB signal-to-noise ratio (12 and 13.7 bits) for bandwidths of 25 and 12.5 MHz, respectively. The loop filters are continuous-time low-pass and bandpass implementations of order 6 and 10, and were fabricated in an InP heterojunction bipolar (HBT) technology. A typical tenth-order design consumes 6 W of power and occupies a die area of 23.5 mm/sup 2/. 相似文献
64.
65.
66.
低温脂肪酶产生菌的筛选、鉴定及其部分酶学性质 总被引:15,自引:1,他引:14
从南极乔治王岛冻土来源的76株低温细菌中筛选到13株低温脂肪酶产生菌,对其中的BTsl0022菌株进行鉴定。通过生理生化特征、16s rDNA基因序列的同源性和系统发育分析发现,菌株RTsl0022属于假单胞菌属(Pseudomonas),但与已定名的假单胞菌有一定的差异,与未定名的Pseudomonas sp.PsB的亲缘关系最接近,故将其暂定名为Pseudomonas sp.BTsl0022。对该菌脂肪酶的酶学性质初步研究表明,酶的最适作用温度为24℃,对热敏感,60℃处理30min仅残留25%酶活性,酶的适宜作用pH范围在7.0~9.0,最适pH为8.0。 相似文献
67.
Chun-Yuan Chen Shiou-Ying Cheng Wen-Hui Chiou Hung-Ming Chuang Wen-Chau Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(3):126-128
A novel InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT) is fabricated and demonstrated. The studied device exhibits a very small collector-emitter offset voltage of 40 mV and an extremely wide operation regime. The operation region is larger than 11 decades in magnitude of collector current (10/sup -12/ to 10/sup -1/A). A current gain of 3 is obtained even if the device is operated at an ultralow collector current of 3.9 /spl times/ 10/sup -12/A (1.56 /spl times/ 10/sup -7/A/cm/sup 2/). Furthermore, the common-emitter breakdown voltage of the studied device is higher than 2 V. Consequently, the studied device shows a promise for low supply voltage, and low-power consumption circuit applications. 相似文献
68.
69.
70.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献