全文获取类型
收费全文 | 150094篇 |
免费 | 18650篇 |
国内免费 | 13132篇 |
专业分类
电工技术 | 15337篇 |
综合类 | 16359篇 |
化学工业 | 18512篇 |
金属工艺 | 10600篇 |
机械仪表 | 10658篇 |
建筑科学 | 11449篇 |
矿业工程 | 5802篇 |
能源动力 | 4172篇 |
轻工业 | 17139篇 |
水利工程 | 5731篇 |
石油天然气 | 4528篇 |
武器工业 | 2426篇 |
无线电 | 15667篇 |
一般工业技术 | 12603篇 |
冶金工业 | 5058篇 |
原子能技术 | 2447篇 |
自动化技术 | 23388篇 |
出版年
2024年 | 793篇 |
2023年 | 2309篇 |
2022年 | 6023篇 |
2021年 | 7476篇 |
2020年 | 5293篇 |
2019年 | 3765篇 |
2018年 | 3985篇 |
2017年 | 4422篇 |
2016年 | 4136篇 |
2015年 | 6517篇 |
2014年 | 8376篇 |
2013年 | 9667篇 |
2012年 | 12755篇 |
2011年 | 13125篇 |
2010年 | 12370篇 |
2009年 | 12199篇 |
2008年 | 12635篇 |
2007年 | 12486篇 |
2006年 | 10837篇 |
2005年 | 8710篇 |
2004年 | 6428篇 |
2003年 | 4276篇 |
2002年 | 4037篇 |
2001年 | 3647篇 |
2000年 | 2870篇 |
1999年 | 1052篇 |
1998年 | 296篇 |
1997年 | 189篇 |
1996年 | 141篇 |
1995年 | 134篇 |
1994年 | 92篇 |
1993年 | 105篇 |
1992年 | 96篇 |
1991年 | 62篇 |
1990年 | 89篇 |
1989年 | 94篇 |
1988年 | 60篇 |
1987年 | 44篇 |
1986年 | 49篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 23篇 |
1983年 | 20篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 13篇 |
1980年 | 39篇 |
1979年 | 33篇 |
1959年 | 28篇 |
1951年 | 49篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
171.
一种主机与网络相结合的漏洞扫描工具的设计与实现 总被引:4,自引:0,他引:4
计算机安全问题是在信息化过程中急需解决的问题 ,而安全漏洞的发现对保护系统安全有着非常重要的意义。网络管理人员由于种种原因 ,很难及时、全面地测试系统的安全性。因此 ,设计一种能代替他们进行测试的工具就显得十分必要。本文首先对漏洞扫描的原理进行了分析 ,主要介绍了一种主机与网络相结合的安全漏洞扫描的设计及实现。 相似文献
172.
173.
辐射技术在食品加工中的应用 总被引:9,自引:0,他引:9
综述了食品辐射加工的原理及其作用效果,以及该技术在欧美的应用现状及存在的发展障碍。 相似文献
174.
175.
176.
177.
178.
中国先进研究堆导流箱流场的数值模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
采用目前国内普遍使用的计算流体力学 (CFD)软件PHOENICS 3 2对中国先进研究堆不同结构的导流箱的三维流场进行数值模拟计算。结果表明 :导流箱入口导流板和导流筒能显著改善导流箱入口冷却剂的流动状况 ,获得入口冷却剂沿周向均匀分流的效果 ,达到显著减缓入口冷却剂对垂直辐照孔道导管及安全棒导管直接的横向水力冲刷的设计目的 相似文献
179.
Shihong XU Pengshou XU Mingrong JI Xianming LIU Maosheng MA Jingsheng ZHU Yuheng ZHANG Structure Research Laboratory University of Science Technology of China Hefei ChinaZhenjia XU Institute of Semiconductor Academia Sinica Beijing China 《材料科学技术学报》1993,9(6):437-440
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper. 相似文献
180.