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根据滑坡发生的初始条件、滑坡成因及方式表象,对常见的蠕变倾覆滑坡、卸荷滑坡、震动液化平推滑坡、潜蚀塌陷滑坡、溶蚀下陷滑坡、孔隙水压浮动滑坡和人工切蚀或冲(浪)蚀—加载滑坡等机理进行了分析. 相似文献
43.
The dielectric and piezoelectric properties of the (Pb0.985Bi0.01)(Ni1/4Zn1/12Nb2/3)x- (ZrσTi1-σ)1-xO3 piezoelectric ceramic system (0.2 ≤ x ≤ 0.7, 0.1 ≤ σ ≤ 0.9) were systematically investigated. The results showed that, after poling, the dielectric constant, ε
33
T
, increased for the tetragonal compositions but decreased for the rhombohedral compositions. Furthermore, high values of ε
33
T
and piezoelectric modulus, d
31 were found for the compositions along the extension of the morphotropic phase boundary. The highest values of the planar
electromechanical coupling factor, K
p, and the piezoelectric modulus, d
31, were found to be 0.70 and − 274 × 10-12 C N-1, respectively. The Curie temperature, remanent polarization, coercive field and the lattice constants of the a and c axes in relation to the Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 content and the Zr/Zr + Ti ratio were also determined.
This revised version was published online in November 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
44.
The behaviour of hydrogen permeation and diffusion in amorphous alloy Ni68Cr7Si8B14Fe3 hasbeen investigated by an ultrahigh vacuum gas permeation technique. A comparison experimentwas carried out between the as-quenched and annealed States (400℃/2h) of the amorphousalloy. The results show that, for both states of the amorphous alloy in the temperature rangeof 200~350℃, the diffusivity and permeability of hydrogen are in agreement with Arrheniusrelationship, there does not exist H-trapping effect, and the activation energies of diffusion andpermeation almost keep the same. 相似文献
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Shihong XU Pengshou XU Mingrong JI Xianming LIU Maosheng MA Jingsheng ZHU Yuheng ZHANG Structure Research Laboratory University of Science Technology of China Hefei ChinaZhenjia XU Institute of Semiconductor Academia Sinica Beijing China 《材料科学技术学报》1993,9(6):437-440
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper. 相似文献