大功率医用全固态561nm黄光激光器

采用半导体抽运腔内倍频的方法,获得了可满足医疗应用的瓦级全固态561nm黄光激光输出。在比较和分析了Nd…YAG激光晶体各主要谱线的激光参数之后,通过谐振腔膜系的设计抑制了增益较大的1064,1319和946nm谱线的运转。通过对倍频晶体的合理选择以及晶体放置角度与匹配温度的合理控制,在13.5W的808nm抽运功率下,实验获得了1.41W的561nm单一谱线的黄光激光输出,光-光转换效率为10.5%。     

稀土离子掺杂对钨酸盐荧光粉发光性能的研究(英文)

红色荧光粉的在制备荧光转换型白光LED时是不可或缺的,因为红色荧光粉在制备高显色指数白光LED中发挥着重要的作用。LiEuW2O8是最近几年最新发展起来的一种很有潜力的红色荧光粉。主要研究了稀土离子掺杂对LiEuW2O8发光性能的影响。采用高温固相法制备钨酸锂铕系列红色荧光粉。La3+和Sm3+取代LiEuW2O8中的Eu3+,La3+和Sm3+通过再吸收的方式将能量传递给Eu3+,实现对Eu3+的敏化作用。La3+和Sm3+的掺杂并没有改变样品的激发和发射峰,也没有改变晶体结构,但是掺入后能显著提高样品的发射强度。La3+的最佳掺杂量(物质的量分数)为3%,Sm3+的最佳掺杂量为4%。     

基于UDP流量的P2P流媒体流量识别算法研究

以几款主流的P2P流媒体网络电视作为研究对象,深入分析了其产生的流量在端口使用方面的特点和报文长度分布上的差异。通过对这些特征的总结和提取,获得了基于端口特性“在一次交互过程中,特定主机的特定端口唯一确定一种应用”等结论。在此基础上提出了一种基于带有扩展属性的流记录准确识别P2P应用UDP流量的EXID算法。通过对CERNET江苏省边界10G主干信道上采集的Trace数据中5种P2P流媒体应用进行识别,并与机器学习流量识别算法进行比较,其结果表明提出的方案具有很高的查准率和查全率,时间效率高,且不易受样本比重的影响。     

GaN基肖特基二极管的场板工程

The practical design of GaN-based Schottky barrier diodes（SBDs） incorporating a field plate（FP） structure necessitates an understanding of their working mechanism and optimization criteria.In this work,the influences of the parameters of FPs upon breakdown of the diode are investigated in detail and the design rules of FP structures for GaN-based SBDs are presented for a wide scale of material and device parameters.By comparing three representative dielectric materials（SiO₂,Si₃N₄ and Al₂O₃） selected for fabricating FPs,it is found that the product of dielectric permittivity and critical field strength of a dielectric material could be used as an index to predict its potential performance for FP applications.     

快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响

300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.     

一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

为调谐器设计的带自动幅度控制1.1GHz差分压控振荡器

为集成调谐器接收机芯片系统设计了一个带自动幅度控制回路的差分结构电容电感压控振荡器.通过采用pMOS管作为有源负阻使振荡器谐振回路可以直接接地电平,减小了寄生效应,扩大了频率调谐的线性及其范围.采用的自动幅度控制AAC回路具有元件少,噪声低,控制灵敏,调节容易,结构简单及设计方便的优点,并保证振荡器电路的性能最小地依赖于环境和制造工艺参数的变化.所设计的压控振荡器采用新加坡特许50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺流片,经测试在1MHz频率偏移处达到了-127.27dBc/Hz的相位噪声性能,具有宽的(990～1140MHz)和线性(调谐增益32.4MHz/V)的频率调谐曲线.整个振荡器电路在5V的供电电压下仅消耗6.6mA的电流,可以满足调谐器的应用需要.     

金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se2太阳电池性能的影响

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0.87cm2)转换效率分别为10.7%,7.95%和8.58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用.     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

MEMS器件的腐蚀与释放

以硅微机械FP腔器件为代表,该器件采用了标准的硅表面加工工艺,分析了此类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题.根据所遇到问题的不同情况对器件的设计和工艺流程进行了改进,并通过实验验证了其可行性.