全文获取类型
收费全文 | 25834篇 |
免费 | 2449篇 |
国内免费 | 1298篇 |
专业分类
电工技术 | 1529篇 |
技术理论 | 5篇 |
综合类 | 1880篇 |
化学工业 | 4442篇 |
金属工艺 | 1478篇 |
机械仪表 | 1489篇 |
建筑科学 | 1996篇 |
矿业工程 | 738篇 |
能源动力 | 636篇 |
轻工业 | 2794篇 |
水利工程 | 436篇 |
石油天然气 | 1369篇 |
武器工业 | 174篇 |
无线电 | 3096篇 |
一般工业技术 | 2879篇 |
冶金工业 | 1117篇 |
原子能技术 | 244篇 |
自动化技术 | 3279篇 |
出版年
2024年 | 170篇 |
2023年 | 534篇 |
2022年 | 955篇 |
2021年 | 1274篇 |
2020年 | 930篇 |
2019年 | 835篇 |
2018年 | 905篇 |
2017年 | 925篇 |
2016年 | 840篇 |
2015年 | 1137篇 |
2014年 | 1390篇 |
2013年 | 1571篇 |
2012年 | 1742篇 |
2011年 | 1648篇 |
2010年 | 1490篇 |
2009年 | 1420篇 |
2008年 | 1344篇 |
2007年 | 1244篇 |
2006年 | 1222篇 |
2005年 | 991篇 |
2004年 | 757篇 |
2003年 | 937篇 |
2002年 | 1176篇 |
2001年 | 952篇 |
2000年 | 673篇 |
1999年 | 596篇 |
1998年 | 351篇 |
1997年 | 313篇 |
1996年 | 289篇 |
1995年 | 232篇 |
1994年 | 181篇 |
1993年 | 140篇 |
1992年 | 98篇 |
1991年 | 80篇 |
1990年 | 72篇 |
1989年 | 43篇 |
1988年 | 36篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 21篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
对传统的钼酸铵溶液净化工艺及文献介绍工艺进行了较为详细的分析 ,并与实验数据对比分析 ,找到了较为合理的工艺方案 相似文献
33.
34.
地震勘探震源药柱技术进展 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍国内外震源药柱产品现状,着重介绍了湖北凯龙化工集团股份有限公司近期所取得的技术进展,探讨了一些施工设想及地震勘探震源药柱今后可能的发展方向. 相似文献
35.
36.
37.
本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
38.
Radiation of an electric dipole located along an arbitrary direction in the presence of a chiral slab is formulated using matrix analysis in conjunction with Fourier transform techniques. Moreover, dyadic Green's function of such a structure may be determined for further investigation porpose. 相似文献
39.
就用双辊铸轧机(TRC)生产薄、宽铸轧带技术进行研究并优化铸轧工艺。研究结果表明:3mm厚的铸轧带不仅表面变形.而且整个厚度内部层都发生变形,表面层的铝基中具有较高的合金元素饱和度。 相似文献
40.
Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献