超分子化合物(C12N2H9)2(C12N2H8)[SW12O40]的合成与结构表征

利用水热法合成了超分子化合物（C12N2H9）2（C12N2H8）[SW12O40],通过元素分析和X射线单晶衍射确定了其晶体结构,该晶体为正交晶系,P2（1）2（1）2（1）空间群,晶胞参数为a=12．0168（3）A^。,b=21．0534（6）A^。,c=22．5820（6）A^。,V=5713．1（3）A^。^3,α=β=γ=90°,Z=4,Dc=3．977mg·m^-3,并通过IR和XRD进行了结构表征,采用热重分析研究了晶体的热稳定性。该化合物由邻菲罗林和Keggin结构[SW12O40]^2-阴离子组成,以氢键自组装成超分子结构化合物。     

YP02型叶片测量仪软件系统开发的关键技术

对YP02型叶片测量仪专用软件系统开发的关键技术进行了研究,该软件系统包含数据测量、数据处理及结果分析三个关键模块.在数据测量模块中,提出建立叶根及叶冠坐标系的5点测量法,提出根据叶根、叶冠坐标系建立叶片工件坐标系的方法,定义运动指令和控制指令;在数据处理模块中,给出理论型线冗余点剔除、理论型线的偏置及实测型线与偏置型线匹配的算法;在结果分析模块中,给出常用误差分析的算法.基于上述关键技术,开发YP02型叶片测量仪的专用软件系统,并用该系统对多种类型叶片进行测量,结果表明软件系统具有高效及易操作等特点.     

高温变形对X70管线钢组织与性能的影响

采用热模拟技术模拟了X70管线钢感应加热弯管的制造过程,研究了不同变形加热温度、应变量和变形后冷却速率对X70管线钢组织与性能的影响。结果表明:高温变形可使X70管线钢的强韧性获得提高;变形加热温度小于1 050℃时可使X70钢获得较好的韧性;变形后冷却速率的增加使X70钢的韧性增加。     

不同电磁边界条件对三维两相电磁固体裂纹的影响

利用三维两相横观各向同性电磁固体广义不连续位移Crouch基本解,给出一种三维两相横观各向同性电磁固体内任意形状平片裂纹在不同边界条件下的边界元方法;研究裂纹表面不同电磁边界条件以及界面对解的影响;提出裂纹张开模型,得到力-电-磁联合载荷作用下裂纹腔中的电位移、磁感应强度和广义应力强度因子.     

五轴数控异形植毛机的控制软件设计

自主开发了五轴数控异形植毛机控制系统及软件,可对板刷进行五坐标联动快速定位,植毛速度可调整,适合不规则、非单一几何形状的异形毛刷及大型工业用刷。系统采用基于PCI总线的高性能运动控制卡,通过控制五个步进电机（或伺服电机）,实现工作台的精确定位。介绍了系统软件的模块化设计思想,给出了软件流程图,并提供了关键部分的控制代码。该设备克服了目前多坐标联动数控系统成本过高、编程麻烦的缺点,能够使工件做五坐标联动快速定位,植毛速度可达2～6孔/秒。     

基于VB通用的线图处理方法

将线图装入VB6.0的PictureBox控件中,利用PictureBox控件的MouseMove,MouseDown事件,可实时得到鼠标所在位置的x,y坐标值.通过坐标变换,可实时得到线图中任何一点的真实坐标,从而使线图处理问题得以解决.该方法简单、方便.具有极大的通用性.     

人体下肢外骨骼关键技术分析与研究

随着单兵武器装备的不断升级,质量问题成为单兵作战灵活性与生存力的一个障碍.人体下肢外骨骼装置能提高士兵的承载能力,使士兵能够负重长途跋涉于车辆无法行驶的路面,充分发挥人与机器的优势,实现人的灵活、机动、智慧与机器强壮性的完美结合.文中介绍了目前国内外在人体下肢外骨骼研究领域的最新研究发展动态,并就其关键性技术进行了分析与研究,为人体下肢外骨骼的进一步设计与开发提供了详实的信息与参考依据.     

核电厂用水泥固定配方及设备研究

本文通过不同种类水泥和外加剂配比试验,研发了一种新的水泥灌浆固定配方,并设计了符合核电厂现场使用需求的水泥灌浆固定设备。现场试验结果表明,水泥浆粘聚性好,静置无泌水,流动度大于330mm,养护28天的水泥固定体抗压强度大于75MPa,抗Cl-离子渗透小于2 000C,具有优良的物理性能。     

双G-M管宽量程辐射探测器设计

将Time-to-Count技术方法应用于双G-M计数管的辐射探测器,设计了G-M计数管高压快速充电电路和控制高低量程G-M计数管工作切换的电路,测试结果表明:双G-M计数管辐射探测器的量程跨度达9个数量级,测量上限达15Sv/h以上,实现了高低量程的平滑切换,还验证了探测器的稳定性和可靠性。     

剂量增强效应的蒙特卡罗模拟及实验研究

当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒模型,计算了不同能量的X射线透过铅与铝产生的次级电子能谱以及穿过屏蔽盒后的金硅界面剂量深度分布。模拟计算表明,能量低于300 keV的X射线穿过铅铝屏蔽盒后的次级电子通量明显降低,剂量增强效应几乎可以忽略,界面硅一侧剂量均匀分布,并且实验结果与计算结果几乎吻合。