爆炸冲击波作用下核电站安全壳动力分析模型

根据某国防科研课题，建立核电站安全壳在爆炸冲击波作用下的动力分析模型，讨论并分析了质点杆模型在安全壳预应力混凝土结构中的应用。质点杆模型可用于计算爆炸冲击波作用下的结构响应。     

Applications of optimal mathematic-physical models in metallurgical manufacture scheduling system at Baosteel

The transfer of mass flow between ironmaking and steelmaking process at Baoshan Iron and Steel Co. Ltd. has been analyzed. The mathematic-physical models of transport scheduling for hot metal manufacturing have been researched combined with the practical problem in the metallurgical manufacture procedure. Taking into account these models, the scheduling software has been designed, programmed and tested on-line. The new automation system of production scheduling has been implemented successfully at Baosteel, which produces a great economic benefit.     

力控~应用于高压氧舱治疗监控及视频监视

本文主要谈了力控在医疗方面的应用,也就是力控应用与高压氧舱治疗监控及视频监视方面。     

图像编码中的容错方法分析

随着信息社会的到来,互联网以及正在迅速发展的移动通信技术,逐渐成为人们获取信息的中心。而这些信息的传输都必须由具有较强鲁棒性的压缩数据来保证。所以,在有干扰的信道中如何保护传输的压缩数据不受干扰成为人们关注的问题。针对现代信息中的最主要的图像数据的传输问题,对一些差错控制方法,特别是在JPEG2000及MPEG-4标准中所采用的新的容错工具和方法进行了较详细地分析。     

三唑并嘧啶磺酰胺类除草剂的QSAR研究（II）

三唑并嘧啶类除草剂是作用于乙酰乳酸合成酶的新一类超高效除草剂，本文采用ＣＡＳＡＣ软件中的逐步线性回归方法，在二维水平上通过讨论三唑并嘧啶类化合物对油菜ｒａｐｅ（Ｇｏｓｓｙｐｉｕｍｓｐｐ．）欧龙牙草ｃｏｃｋｌｅｂｕｒ（Ｘａｎｔｈｉｕｍ，ｓｐｐ．）曼陀罗ｊｉｍｓｏｎｗｅｅｄ（Ｄａｔｕｒａ，ｓｔｒａｍｏｎｉｕｍ），牵牛花ａｎｎｕａｌｍｏｒｎｉｎｇｇｌｏｒｙ（ｌｐｏｍｏｅａｓｐｐ。）苋菜ｐｉｇｗｅｅｄ（Ａ     

最小阶时分滤波器及其在运载体对准中的应用

设计一种时分降低滤波器用来进行运载体惯导系统的动态对准和传递对准，假定运载体惯导系统已标定的。在运载体水平直线运动的短时间内，两个二阶滤波以时分工作方式估计平台水平失调角，在消除水平失调角后，运载体在垂直与当地垂线的水平面内机动，此时用一个三阶（或四阶）滤波器来估计方位失调角，另外，在本文中给出该滤波器的数据压缩算法，来提高估计精度。     

关于加强大学生传统美德教育的思考

当前我国正处于体制转轨、社会转型和文化嬗变时期,在这一特殊的历史时期,必然会给大学生的价值取向和道德选择带来了很大的影响和冲击.一方面,他们强调自我价值、主体意识、奋斗精神,注重竞争与参与,追求民主与平等;另一方面,由于受社会上不良现象的影响,部分大学生滋长了各种各样的消极思想.面对这种新形势、新情况,我们应在强化对大学生进行马克思主义教育的同时,充分挖掘中华民族优秀文化和伦理道德的价值,加强对大学生进行传统美德教育,切实提高大学生的思想道德素质.     

双机架可逆冷轧机张力控制系统的研究

文章针对双机架可逆冷轧机的特点和轧制工艺要求,采用间接张力与直接张力复合控制法以实现卷取恒张力控制;提出了机架间张力控制系统的组成,描述了两种调张法的控制原理与实现方法.     

Effect of Ion Dose on Growth of Relaxed SiGe Layer on Ion Implantation Si Substrate

Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate.     

矩形花键螺旋沟拉刀一次成型中的数学模拟

给出了矩形花键螺旋沟拉刀一次成型的数学模拟，并用实例验证了模拟的可靠性。