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引入激光回馈的双光束干涉效应的研究 总被引:4,自引:4,他引:0
提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。 相似文献
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低温高速离心泵的研制与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了适合于输送低温介质的高速离心泵的水力设计和结构设计方法,结构上采有长,中,短叶片相间的复合叶轮及双密封结构,理论上采用以效率为目标函数的优化水力设计方法,保证了低温高速离心泵具有很好的工人可靠性和优越的性能指标。 相似文献
88.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。 相似文献
89.
衍射法细丝直径的精密测量 总被引:4,自引:2,他引:2
分析了激光衍射法测量细丝直径技术中影响精度的几个主要因素,研究了一种微弱衍射条纹的精密处理及识别技术,有效地提高了测量精度,实测结果表明,文中讨论的技术能在10 ̄50μm的范围内实现正负0.1μm的重复精度,分辨力优于0.01μm。 相似文献
90.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献