EAF-LF-CSP流程Ti微合金化钢炼钢工艺研究

基于珠钢EAF-LF-CSP流程,研究深脱O、深脱S、低N钢等生产技术,使[O]＜25×10-6、[N]＜70×10-6、[S]＜50×10-6,解决了Ti微合金收得率低、性能不稳定和连铸过程堵水口的问题,Ti铁的回收率稳定控制在67%左右,并在此基础开发出屈服强度为450～700MPa的高强钢.     

FW余热锅炉在金昌冶炼厂的设计及应用

金昌冶炼厂主工艺改造采用Ausmelt熔炼技术,其烟气冷却设备选用FW余热锅炉,本文阐述了金昌冶炼厂余热锅炉的结构、特点及运行效果,投运后,节能降耗。     

功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响

利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为6.7wt%的氧化锌镓陶瓷靶材,在低温下(约40℃)制备了ZGO薄膜.考察了溅射功率密度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响.结果表明:溅射功率密度对薄膜的结构、红外反射以及导电性能有较大影响.当溅射功率密度为3.58W/cm2,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率低达1.5×10-3Ω·cm,方块电阻为23Ω时,可见光(λ＝400nm～800nm)平均透过率高于90%.     

Ba1-xKxPbO3系导电陶瓷的电性能研究

采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.     

可控性玻璃屋顶节能分析

通过运用DOE-2．1节能分析软件分析了玻璃屋顶节能的几种措施的热工性能差别，并从冷热负荷、太阳辐射及其经济价值几个方面定量地阐述了降低玻璃屋顶带来的能耗损失的方式，并且计算出各种方法的差异，得出较合理的办法．     

鲁棒的镜头边缘检测融合算法

对于镜头骤变检测，通过最小扩展树算法(MST)提取保留了视频帧空间信息的颜色聚合向量直方图、引入了动态自适应阈值和时间阻尼，使得骤变检测效率高；对于渐变检测，通过分析其数学产生模型，根据模型特性实现渐变镜头检测；最后，采用一个良好的融合策略同时完成骤变和渐变。     

具有输入饱和特性的中型足球机器人运动控制研究

研究了具有输入饱和特性的全自主中型足球机器人的运动控制问题,建立了足球机器人的运动学模型,基于Lyapunov稳定性条件研究了足球机器人对足球跟踪的自主控制算法,实现了足球机器人在赛场上的高精度运动控制,实验进一步证明了算法的鲁棒性。     

双BGO晶体能谱测井

Ｃ／Ｏ测井可以利用ＢＧＯ晶体探测效率高的特点，在其探测器部分放置两个探测器，称为双探测Ｃ／Ｏ测井仪，长短源距两个探头所测谱数据进行补偿，有效地去除了井眼条件的影响，提高了测量精度和油水差值，更加有产地分油水层，并有望能在低孔隙度的地层中使用Ｃ／Ｏ测井仪器。     

铸造RE17Fe76.5B5Cu1.5（RE=Pr,Nd）热压及其热处理的研究

在热压温度Ｔ〈１１７３Ｋ，ε＝１０＾－４－１０＾－３ｓ＾－１条件下，首次得到铸造Ｐｒ１７Ｆｅ７６．Ｂ５Ｃｕ１．５「００６」织构，而在其它条件下得到的均为「１０５」织构。热压试样经较低温度热处理，不仅热压Ｐｒ１７Ｆｅ７６．５Ｂ６Ｃｕ１．５而且Ｎｄ１７Ｆｅ７６．５Ｂ５Ｃｕ１．５均得到更加显著的「００６」织构，包括在内绝大多数晶面的峰消失，磁体的剩磁大幅度提高，达１３２０－１３３０ｍＴ。     

Brief Introduction to High Tower Structure Design for Large Crossing

1.0verviewl.Sincel958,ECEPDIbegant0designthehighcrossingt0weracrosstheYangtzeRiver,on22OkV.Uptonow,therehavebeenapproximately20setsofhighcrossingtowersdesignedbyECEPDI,settinguponthebothsidesoftheYangtzeRiver,theHuaiheRiver,theHuangpuRiverandtheYongjiangRiver.Theselargecr0ssingprojectscarrylinesofthedesignedvoltagefrom22OkVto500kVhavingtheheightfromlO0mt0200m.l.llnconformitywithdifferenttechnicalrequirements,climate,terrainandgeol0gicconditions0fdifferentprojects,ECEPDIhasdesigned…