微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.     

B在SiGe中的应变补偿作用

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.     

Sunlight‐Induced Cross‐Linked Luminescent Films Based on Polysiloxanes and d‐Limonene via Thiol–ene “Click” Chemistry

The increasing pursuit of biocontained elastic materials led the investigation of the potential use of the monoterpene limonene in film synthesis via thiol–ene reaction. Poly[(mercaptopropyl)methylsiloxane] (PMMS) is first synthesized. By controlling the molar ratio of PMMS and functional monomers, such as polyethylene glycol allyl methyl ether or rhodamine‐B, PMMS is partially functionalized while leaving spare mercapto groups that could be further used as cross‐linking sites. On the basis of the functionalized PMMS, novel transparent silicone luminescent films with hydrophilic tunable properties are prepared by natural‐sunlight‐triggered thiol–ene “click” chemistry by using d ‐limonene as a cross‐linker. Their structures and properties are thoroughly characterized. Transparent luminescent films are coated on commercially available UV‐light emitting diode (LED) cell from solution medium followed by an in situ cross‐linking step; a colorful LED cell is obtained through this facile and efficient method. The UV‐LED coated by films show very intense photoluminescence under normal visible light or the light is on, and has very high coloric purity.     

单片图像压缩与USB高速传输技术应用

数字图像压缩与高速传输技术已经在工程中得到了广泛应用,然而随着飞行器的小型化,功耗、体积及重量的限制增大,不能直接应用。因此介绍一种实用的低功耗、小体积实时图像压缩与传输技术及其系统构成,并对单片JPEG2000芯片与USB2.0数据流传输技术应用进行分析,对系统配置及软件开发的主要步骤分别说明。采用该技术可以有效解决小型移动目标图像实时传输难题,与计算机接口兼容性好,可靠性高,具有较强的工程实用性。     

具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器

利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.     

彩色磨粒图像自动分割技术

本文针对彩色显微磨粒图像特征,选择了最大类间方差分割法,并对其进行了推广以应用于彩色图像分割.在详细分析各种彩色特征的前提下,通过选择合适的正交彩色特征量I1、I2和I3,成功地进行了两类彩色磨粒图像分割和目标提取.同时,本文提出了基于彩色特征量直方图三点循环平滑处理的特征量自动选取技术,实现彩色特征量的自动选取,避免了人的主观判断和决定,最终实现了彩色磨粒图像的自动分割.算例表明了本文方法的简洁有效性.     

相位共轭反馈下垂直腔面发射激光器动态分岔特性的理论研究

在传统半导体激光器动力学方程的基础上，突出了垂直腔面发射激光器(VCSELs)的微腔结构特点以及相位共轭反馈(PCF)的时间反演特性，建立起相位共轭反馈条件下的复合腔仿真模型。仿真结果表明：在外部反射率小于0．05的弱反馈条件下，垂直腔面发射激光器的微腔结构导致了它的动态特性与边发射器件有较大的区别，给出两者在混沌带的出现次数、存在范围以及分岔点的出现条件等方面的比较。相对于常规光反馈(COF)而言，相位共轭反馈的累积相位为零，这使得该机制下垂直腔面发射激光器表现出更为丰富的非线性特性。仿真中观察到常规光反馈经历了三个混沌带，相位共轭反馈经历了两个混沌带且稳定区域较宽；并发现在混沌吸引子产生的过程中常规光反馈光场的实虚部相空间轨迹保持对称，而相位共轭反馈的相空间轨迹则表现为对称的‘建立→破坏→再建立’这样的循环过程。     

铝合金的大功率扩散型CO_2激光粉末焊接技术Ⅱ——铝合金焊接接头的组织与性能

本试验研究就采用扩散型CO2 激光粉末焊接技术的铝合金焊接接头进行组织及性能的分析。拉伸实验的结果表明 :对于无间隙的对接焊接头 ,采用不填粉的激光焊接工艺时的抗拉强度明显低于采用填充粉末焊接工艺 ,而且断裂也是发生在焊缝部位。但是拉伸实验的过程中可以看到明显的屈服发生在母材 ,而不是焊缝。采用填粉的激光焊接工艺时则是在母材产生屈服和最终的断裂 ;对于有间隙的对接焊接头 ,采用填粉工艺时 ,其抗拉强度不低于母材的最大间隙达 0 5mm。另外 ,采用填粉工艺的对接焊接头 ,其冷弯角可达 180°、硬度和母材相当 ;其焊缝的金相组织 ,基底为Al+Si共晶与α-Al的均匀混合物 ,其上分布有结晶时先析出的纯Si;当焊接速度偏低时 ,会发生紧邻熔合线的焊缝部位的断裂。启裂区为准解理形貌 ,扩展区面积较大并且是以准解理为主的混合断口形貌 ,终断区为韧性断口形貌     

基于几何校正的聚束SAR快速分级后投影算法

快速分级后投影(Fast Factorized Back Projection, FFBP)算法大幅减少了原始后投影算法的插值次数,提升运算效率。然而图像合成过程中仍然需要大量的图像域2维插值操作,庞大的计算量限制了其在实际中的应用。该文提出一种基于几何校正的聚束SAR快速分级后投影算法。该算法利用几何校正的方法实现子图像配准,即在满足聚焦性能的前提下,通过距离维平移和角度维旋转完成子图像在不同坐标系下的投影和子图像合成。该算法避免了逐点插值运算,进一步降低了FFBP算法的计算量。仿真结果表明,该算法能高精度聚焦成像,并且其运算效率相对于基于图像域2维插值的FFBP算法显著提高。     

低温条件下光学厚度对Tm3+：YAG材料光谱烧孔孔深的影响

通过理论与实验研究了光学厚度对Tm3+：YAG材料光谱烧孔孔深的影响。提出了一种用于分析光学厚度对光谱烧孔孔深影响的新模型。该模型从理论上推导了烧孔孔深与光学厚度的关系。根据提出的理论模型,当温度大于4K时,通过选择合适的光学厚度可以使光谱烧孔孔深得到最大值。最后通过使用合适的激光与Tm3+：YAG材料所形成的光谱烧孔实验证明了实验结果与理论分析是相一致的。