3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的3B1光束线与LIGA实验站过去使用的3W1光束线相比,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱,但可实现专用光和兼用光两用.现在LIGA实验站移到3B1光束线,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作.结合此研究目的,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算,分别得到了专用和兼用时3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模:Au-PI组合和Au-Si组合.     

利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。     

氯化铯纳米岛生长技术

氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术,该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构,通过调整工艺条件可以适度控制氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率.氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主要取决于氯化铯薄膜厚度、显影时间和相对湿度,其中膜厚的影响最大.通常在其他条件不变的情况下,薄膜越厚覆盖率越高,而显影时间越长覆盖率则可能越低.在厚度、相对湿度一定的情况下,显影时间较短时,岛结构以小直径为主,随着时间增加,该结构直径分布变得均匀,并且以大直径为主,两者都大致符合高斯分布.     

磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响

利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化。发现当偏压小于300 V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300 V时薄膜密度最大;当偏压大于300 V时,薄膜密度减小。另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布。     

单一取向Cu2O纳米棒的一种工业制备技术

作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用。为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术。     

利用LIGA技术研制微细电火花异形和阵列结构电极

利用LIGA技术的优势,针对电火花电板结构特点开发出相应的加工工艺,完成电火花复杂结构电极的制造.电火花电极的特点是大高宽比的金属柱状结构,这对于LIGA技术工艺具有特殊的难度,需要突破深孔显影和电铸工艺难题.通过大量的工艺试验,优化出电火花电极阵列结构的工艺路线,圆满完成阵列结构和异形复杂结构的电极制造,为电火花技术...     

大面积微细结构的电火花高效加工

采用深度光刻与电铸技术相结合较好地解决了大深宽比的电火花工具电极的制造问题。在此基础上,利用优化的微细电火花加工工艺,可以实现大面积微细结构的高效、精细制造。