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31.
设计合成具有头-头结构的甲基丙烯酸甲酯共聚物以及含大空间侧其的甲基丙烯酸甲酯共聚物,研究了它们为LIGA技术用抗蚀剂的光敏性能,结果表明适当大小空间侧基的引入,有助于改善烯酸甲酯抗蚀剂的光敏性。  相似文献   
32.
谢常青  陈大鹏  刘明  叶甜春  伊福廷 《核技术》2004,27(12):904-908
鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50am及50am以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。  相似文献   
33.
深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Karl Suss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光。  相似文献   
34.
SU8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一.SU8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作,另一方面SU8结构具有很好的侧面垂直结构,通过控制工艺参数,能够获得满意的SU8胶结构.SU8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作.在SU8胶研究过程中,克服了许多技术难题,使得这一技术能够应用到实际的需要中.  相似文献   
35.
运用光刻、刻蚀技术在载玻片上刻蚀出条宽70μm、深30μm、长7cm的沟槽,与另一载玻片键合,形成一微流路沟道,研制出了用于生物电泳技术的微流路生物芯片。在该芯片的研制中,克服了湿法腐蚀、断线、键合等技术难题。该芯片已经交付合作单位使用,能够满足应用中的基本性能要求。  相似文献   
36.
LIGA技术自其发明和公开报道已有十几年的发展历史,已在世界各地发展起来,带动和激发了微机电系统——MEMS(Microelectromechanical System)加工热潮。经过十几年的努力,LIGA技术日已成熟,在很多领域内得到了应用。LIGA技术以大高宽比结构和加工厚度著称,结构高宽比可达100以上,结构厚度可在1毫米以上,是其他任何加工技术所不能够相比的。这一优越的加工能力为在微机械制造中发挥作用,提供了坚实的技术基础。该技术的目标就是制造模具,用于注塑和模压工艺过程中所需要的金属模具。通过对该技术以及北京同步辐射的LIGA技术发展现状和应用的介绍。希望对同仁有所帮助。共同推进该技术在模具制造领域内的应用。  相似文献   
37.
近年来,电铸在微细加工中的应用得到了较快发展,尤其在近几年高速发展的LIGA技术的掩模加工和其应用产品中,该技术充分体现出了字的优越性能和潜在的应用前景。本文结合LIGA技术掩模的加工及其电铸产品,用已取得的实验结果来说明电铸的应用潜力。  相似文献   
38.
提出了一种解决大高宽比SU 8结构的新方法.该方法是将SU 8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU 8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU 8结构,而文献报道的SU 8胶结构的高宽比最大仅为18  相似文献   
39.
通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究,获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm,深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。  相似文献   
40.
LIGA技术制造微流量计的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了利用LIGA技术中的同步辐射光刻、微电铸技术和微装配技术制作微流量计的研究,讨论了微流量计的结构和工作原理。设计和研制了一种微流量计。  相似文献   
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