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剂量增强效应的半经验理论计算 总被引:1,自引:1,他引:0
采用一种半经验电子输运模型,改进了部分参数计算方法,编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序,计算了^60Coγ射线辐照Au/Al界面时Al中的剂量分布,与实验结果进行了比较,并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因子贡献。 相似文献
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本文建立了以PC286微机为核心的量热计数采集和处理系统,给出了修正量热计热损失的计算公式,改变了传统的量热计测量方法。 相似文献
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Radiation experiments have been carried out with a SOI NMOSFET.The behavior of double humps was studied under irradiation.The characterization of the hump was demonstrated.The results have shown that the shape of the hump changed along with the total dose and the reason for this was analyzed.In addition,the coupling effect of the back-gate transistor was more important for the main transistor than the parasitic transistor. 相似文献
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对NPN输入运算放大器LM741在不同偏置状态下进行了Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照以研究NPN输入运算放大器的质子辐照效应。通过比较Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照的实验结果可以发现,3MeV与10MeV质子射线辐照在LM741中主要产生电离损伤。在不同的偏置状态下,器件的损伤敏感程度不同,零偏置器件的输入偏置电流的退化明显高于正向偏置器件。对于相同吸收剂量的质子,质子通量的差别对器件的辐射效应影响很小。电源电流是另一个对质子辐照敏感的参数,Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照会对电源电流产生不同程度的影响,这是因为Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照引起的电离能量沉积和位移能量沉积不同 相似文献
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空间辐射环境下的高能重离子入射屏蔽材料会产生大量次级粒子,为研究屏蔽材料产生的次级粒子对太空舱内辐射环境的影响,本文使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟空间高能~(56)Fe离子入射铝、碳、聚乙烯、水4种屏蔽材料,分析透射屏蔽体的初级粒子及由屏蔽材料产生的次级电子、次级中子、次级质子和次级γ的能谱以及水吸收体中的能量沉积和深度剂量分布。分析产生的次级重粒子类型和能量,比较4种屏蔽材料对高能Fe离子的屏蔽性能。结果表明,聚乙烯材料对高能重离子的屏蔽性能最好,但同时产生的次级重粒子的能量最大,约为铝材料产生次级重粒子能量的4倍。屏蔽体产生所有次级粒子中,次级质子和原子序数为22-26的次级重粒子贡献最大。 相似文献