InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．     

两多模泛函相干态叠加态的高次和压缩--广义磁场分量的不等幂次高次和压缩效应

利用多模压缩态理论,研究了多模泛函相干态|{fj(x,y,z)}〉q及其相反态|{-fj(z,y,z)}〉q的线性叠加所组成的两态叠加多模叠加态光场|ψ(2)(f)〉q的广义磁场分量的不等幂次高次和压缩特性.结果发现:1)当各模的压缩次数Nj(j=1,2,…,…,q下同)之和为偶数时,态|ψ(2)(f)〉q恒处于不等幂次Nj-H最小测不准态;2)当各模的压缩次数Nj之和为奇数时,态|ψ(2)(f)〉q在一定条件下可呈现出周期性变化的、任意不等幂次的广义非线性高次和压缩效应.     

L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO-TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).     

背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究

研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm × 25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80°.在刻蚀过程中,刻蚀深度和刻蚀时间呈线性关系.还研究了NH4Cl溶液浓度和刻蚀速率之间的关系.时刻蚀后的阵列单元进行了光电响应的测试,得到明暗电流比约为60:1.     

CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率

采用电子束蒸发和磁控溅射技术制备了具有红外上转换和光存储特性的电子俘获材料CaS:Eu,Sm薄膜,利用不同脉宽的超短红外激光测试了它们的红外上转换效率,指出CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率不仅与制备工艺及热退火工艺密切相关,而且存在"耗尽"现象.薄膜透过率及空间分辨率测试表明,尽管膜厚及热退火处理对薄膜的透过率及空间分辨率有影响,但它们可显著增加CaS:Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率.     

三甲川菁染料绿光高密度光存储研究

利用旋涂法制备了三甲川菁染料掺杂高分子薄膜,室温下采用波长为532nm、数值孔径为0.65聚焦物镜的绿光存储装置研究了该染料薄膜的光存储特性。结果表明,三甲川菁染料薄膜在420nm～590nm区域内有两个吸收峰,可作为与532nm绿光半导体激光器相匹配的光存储材料。在激光功率为15mW、刻录速度1m/s的条件下,得到了记录线宽约600nm、反射率对比度为21%的结果。     

近场光学显微术进展

讨论了近场光学显微术发展及其理论知识,重点介绍了近场光学显微镜的工作原理、构造设计、工作方式等,概述了近场光学显微术的应用领域和应用成果,探讨了近场光学显微术目前存在的主要问题和需要解决的问题。     

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6′,室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3e17cm-3.     

光合作用PSⅡ Chl分子传能超快光谱学

利用ICCD皮秒，飞秒扫描成像和飞秒时间分辨光谱装置实验研究了高等植物捕光天线LHCⅡ三聚体和PSⅡ聚粒复合物及PSⅡ核心复合物的超快光谱动力学。经过吸收光谱和发射光谱分析。确定在LHCⅡ三聚体中至少存在7种Chl分子光谱特性，它们是：Chlb653/656^658.7，Chla662.0^665.2,Chla/b670/671^671.6,Chla675.0^677.1,Chla680/681^682.9,Chla685^689.1和Chla695.0^695.6。采用光强10^13光子/cm^2/脉冲激励浓度为30μg/ml的捕光天线LHCⅡ三聚体，在650nm到705nm谱段逐点探测分析处理，产生了两组短寿命组分210fs,520fs和5.2ps,36.7ps及两个长寿命组分1.8ns,2ns。最快的三个寿命210fs,520fs和5.2ps反映了三聚体Chlb分子向Chla分子的激发能传递过程；寿命36.7ps反映了Chla分子向相邻单体Chla分子的激发能传递过程；最长的两个寿命1.8ns和2ns是在三聚体中Chla分子通过中间体Chla分子辐射荧光，分别跃迁回基态的过程，获得的六个寿命组分有把激发能传递时间与Chla/b分子发射光谱相结合的特点，经拟合处理解析PSⅡ颗粒复合物光谱，得到三个组分谱，其峰值分别为686.8nm,692.2nm和694.9nm，与LHCⅡ比较分析，说明天然构型的PSⅡ有很强的吸收光能和有效传递光能的本领，PSⅡ核心复合物的核心天线CP43和CP47，各自含有三种不同状态的Chla分子，CP43有Chla660^661,Chla669^670,Chla682^686,CP47有Chla660^661,Chla669^670,Chla680^681。     

基于超快光克尔效应的超短脉冲光限幅器

超短脉冲激光因其独特的传播性质,在光电对抗领域具有重要的应用潜力。针对传统光限幅器件在超短脉冲激光限幅防护领域中存在的若干问题,提出一种基于超快光克尔效应的超短脉冲光限幅器。该限幅技术利用超短脉冲在非线性介质中诱导非线性偏振椭圆旋转(NER)效应,可实现超低阈值的光限幅输出,同时将非线性偏振椭圆旋转和自聚焦效应相结合,可保证器件在较大动态能量范围内具备限幅功能,该器件具备响应速度快、适用光谱范围宽的优点。系统阐述了NER效应的基本原理,并利用飞秒脉冲激光验证了基于NER和自聚焦效应的光限幅器的限幅性能。