爆炸式高压短路保护器载流体的膨胀断裂机理研究

以爆炸式高压短路保护器的实际载流体为研究对象,利用一个描述动态破坏过程的损伤度函数,导出薄壁铜管载流体在爆炸膨胀运动下发生贯穿性断裂的判据准则,理论计算出膨胀断裂过程的时间,和实验数据基本吻合,以此类推可得出不同内径和薄厚的载流体的相关数据.     

8 W高功率全固态LD双端抽运连续波绿光激光器

高功率全固态绿光激光器在激光抽运、激光精密加工、激光医学、激光展示、光存储、信息处理、检测等方面有许多应用。Nd∶YVO4 LBO是目前用于产生 5 32nm绿色激光辐射的一组理想晶体组合。本实验小组以 3mm× 3mm× 10mm @0 .5wt . %的Nd∶YVO4晶体为增益介质 ,4mm× 4mm× 15mm ,Ⅰ类非临界相位匹配的LBO为二倍频晶体 ,当抽运功率为 2 8 9W时 ,获得了 8W (已滤除掉 1 0 6 4μm的基频光 )的稳定绿光输出 ,光 光转换效率高达约2 8%。图 1实验装置Fig .1Experimentalsetup　　实验装置采用Z型折叠腔 (见图 1) ,通过数值计算与优化得…     

压应变In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP单量子阱的变温光致发光研究

我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS／lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究，In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm，温度变化范围为10K到300K．发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似，温度系数与阱宽无关．对1nm的阱，我们观察到其光致发光谱峰为双峰，经分析表明，双峰结构由量子阱界面起伏一个分子单层所致．说明量子阱界面极为平整，样品具有较高的质量．考虑到组分效应、量子尺寸效应及应变效应，计算了In0.63G0.37As／InP压应变量子阱中的激子跃迁能量，理论计算结果与实验结果符合得很好     

半导体泵浦连续波Cr∶LiSAF可调谐激光器的研究

报道半导体泵浦连续波运转的Ｃｒ∶ＬｉＳＡＦ激光器。在泵浦入射功率为１４８ｍＷ时，得到２ｍＷ的连续波输出。输出波长为８６６ｎｍ。当在腔内放置色散元件后，其调谐范围是８３５．５～８９３．８ｎｍ。并对实验结果进行了分析。     

ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能

分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表征和研究。进而在光刻有银电极的ITO玻璃基片上制备出紫外探测原型器件,测试了其紫外响应特性,并结合ZnO纳米线表面特性讨论了器件的紫外响应机理。结果表明:溶胶-凝胶旋涂获得的籽晶最小,生长出的纳米线长径比最高,直径最细,取向性也最好。对应的室温光致发光谱在近带边有优良的激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制。旋涂和浸涂籽晶获得的紫外探测样品响应迅速,但恢复较慢;磁控溅射籽晶样品有较优的响应和恢复特性,但信号强度较低。     

光合作用PSII Chl分子传能超快光谱学

利用ICCD皮秒、飞秒扫描成像和飞秒时间分辨光谱装置实验研究了高等植物捕光天线LHCⅡ三聚体和PSⅡ颗粒复合物及PSⅡ核心复合物的超快光谱动力学,经过吸收光谱和发射光谱分析,确定在LHCⅡ三聚体中至少存在7种Chl分子光谱特性,它们是:Chlb653/656658.7、Chla662。0665。2、Chla/b670/671671.6、Chla675.0677.1、Chla680/681682.9、Chla685689.1和Chla695.0695.6。采用光强103光子/cm2/脉冲激励浓度为30μg/ml的捕光天线LHCⅡ三聚体,在650nm到705nm谱段逐点探测分析处理,产生了两组短寿命组分210fs、520fs和5.2ps、36.7ps及两个长寿命组分1.8ns、2ns。最快的三个寿命210fs、520fs和5.2ps反映了三聚体Chlb分子向Chla分子的激发能传递过程;寿命36.7ps反映了Chla分子向相邻单体Chla分子的激发能传递过程;最长的两个寿命1.8ns和2ns是在三聚体中Chla分子通过中间体Chla分子辐射荧光,分别跃迁回基态的过程。获得的六个寿命组分有把激发能传递时间与Chla/b分子发射光谱相结合的特点。经拟合处理解析PSⅡ颗粒复合物光谱,得到三个组分谱,其峰值分别为686.8nm、692.2nm和694.9nm,与LHCⅡ比较分析,说明天然构型的PSⅡ有很强的吸收光能和有效传递光能的本领、PSⅡ核心复合物的核心天线CP43和CP47,各自含有三种不同状态     

低温液相合成晶态纳米二氧化钛的晶化机制

纳米二氧化钛由于其独特的物理化学性能和在诸多领域中具有广阔的应用前景而引起人们广泛关注.低温液相合成晶态纳米二氧化钛由于避免了高温煅烧过程,可望赋予其更优越的特性.详细介绍了晶态纳米二氧化钛低温液相合成的晶化机制.     

超高真空条件下NEAⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究

介绍对GaAs及1.25μm InGaAsPⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的激活工艺及其性能的初步研究结果。全部采用国产超高真空系统,真空度优于8×10~(-8)Pa。在真空系统中激活的GaAs(Cs,O)光电阴极的积分灵敏度约为550μA/lm,InGaAsP(Cs,O)光电阴极在1.06μm处的量子效率为0.4%。用2.06μm波长(禁带宽度E_(?)=1.25μm)、ns量级脉宽的Er,Tm,Ho:YLF激光作激发源在GaAs(Cs,O)光电阴极中实现了三光子光电发射。在液氮温度下测得的数据与室温下测得的数据相吻合,证明热发射相对于三光子光电发射可以忽略。